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程佳俊

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：贵州师范学院物理与电子科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇热蒸发
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇MG2SI
  • 1篇MG_2SI

机构

  • 1篇贵州师范学院

作者

  • 1篇周筑文
  • 1篇余宏
  • 1篇程佳俊
  • 1篇徐林

传媒

  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 1篇2016
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排序方式：
蒸发时间对Mg_2Si薄膜的影响
2016年
本文旨在研究Mg2Si半导体薄膜的制备过程中,蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。通过采用电阻式热蒸发及退火工艺的制备方法制备了Mg2Si半导体薄膜。在低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处理4h条件下,研究在80A蒸发电流时,不同蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。并采用扫描电镜手段对实验形成的Mg2Si薄膜的结构进行了表征。最后得出结论：低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处理4h条件下,蒸发时间为16min是制备高质量Mg2Si半导体薄膜的最佳蒸发时间。
程佳俊余宏周筑文徐林
关键词：热蒸发
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