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邓伟

作品数:1 被引量:3H指数:1
供职机构:贵州师范学院物理与电子科学学院更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇笑气
  • 1篇化学沉积
  • 1篇PECVD
  • 1篇SIH
  • 1篇SIO2薄膜

机构

  • 1篇贵州师范学院

作者

  • 1篇周筑文
  • 1篇黄建
  • 1篇王维
  • 1篇邓伟

传媒

  • 1篇贵州师范学院...

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜被引量:3
2014年
通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制。
陈心园黄建邓伟王维周筑文
关键词:笑气SIO2薄膜
共1页<1>
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