刘佳明
- 作品数：16 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术核科学技术理学更多>>
- 一种用于粒子加速器的环形真空管道及其加工工艺
- 本发明公开了一种用于粒子加速器的环形真空管道及其加工工艺，环形真空管道包括：呈弧形形状的多个真空管，和固定于各真空管上的介质管；真空管和介质管均由奥氏体不锈钢材质制成；真空管用于提供真空环境，以供带电粒子束流通过；介质管...
- 王鹏程刘佳明黄涛关玉慧刘顺明谭彪孙晓阳
- 文献传递
- CSNS漂移管泄漏检测被引量：1
- 2022年
- 漂移管是中国散裂中子源(CSNS)直线加速器(DTL)的核心部件,整个DTL共有153个整漂移管和8个半漂移管提供纵向加速。采用氦质谱检漏仪和四极质谱计两种手段对12#漂移管进行研究,首先确定了漂移管外壳的漏点位置,然后通过线圈通电和打水压的方法确定了线圈漏水,最后去掉漂移管外壳后重新检漏,确定了线圈漏水的原因。检漏结果对漂移管备件的加工、焊接和检漏具有一定的参考意义。
- 刘顺明王鹏程王鹏程刘佳明宋洪谭彪刘佳明李波关玉慧
- 关键词：氦质谱检漏仪四极质谱计
- 一种用于高能光源真空管道的法兰组件及其密封垫片
- 本实用新型公开了一种用于高能光源真空管道的法兰组件及其密封垫片，其中，密封垫片包括：环状垫片本体；设置在所述环状垫片本体两侧面的多个弹性凸起，两侧面的所述弹性凸起均围设在环状垫片本体内圈的周围；各所述弹性凸起的顶端至所述...
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- 文献传递
- 中国散裂中子源(CSNS)LRBT输运线真空系统被引量：4
- 2019年
- 中国散裂中子源(CSNS)质子加速器由产生能量为80Me V的负氢离子直线加速器、直线加速器到环(LRBT)和环到靶(RTBT)的束流输运线、以及积累和加速质子束到1.6Ge V的快循环同步环(RCS)组成,而总长约200米的LRBT段是该加速器的重要组成部分。本文介绍LRBT段真空系统,包括总体布局设计,物理需求,真空参数,关键设备,安装和调试工作;目前,LRBT动态真空在打靶功率50k W时优于2×10-6Pa,满足物理需求,各非标真空设备、真空获得及测量设备等经过2年半的长期运行,稳定可靠无故障。
- 王鹏程黄涛黄涛孙晓阳刘佳明董海义
- 关键词：中国散裂中子源可靠性
- CSNS反角白光中子源真空系统
- 2022年
- 在中国散裂中子源(CSNS)大科学平台中,利用高能质子加速器产生的1.6GeV高能质子轰击固体钨靶,在靶前产生的反向中子束流,经质子通道返回,并引出到中子实验区,被称为反角白光中子源(Back-n),其具有能谱宽(0~200MeV)、中子产额大(2×10^(16)n/s)等特点,适合进行核数据测量等高能物理研究。该反角白光中子源真空系统,由和高能质子束流共用的26m超高真空系统和专供中子束流通过的54m高真空系统组成,两个真空系统采用不同的真空获得方案和工艺路线,并用中子束窗隔开,在超高真空侧安装有超高真空插板阀,避免中子束窗损坏后影响加速器的运行。本文介绍了该真空系统的设计及运行情况,其建成为白光中子源的实验研究提供了良好的真空条件。
- 王鹏程孙晓阳敬罕涛敬罕涛刘佳明黄涛谭彪
- CSNS DTL真空泄漏解决方案
- 2023年
- 漂移管直线加速器(DTL)是CSNS直线加速器的重要组成部分,负责将脉冲流强为15mA的负氢离子束从3MeV加速到80MeV,再注入到快循环同步加速器(RCS)中实现进一步加速。为避免能量损失,离子束加速必须在高真空环境内完成。本文首先介绍DTL腔真空系统组成,然后对目前出现的真空泄漏情况进行分析,详细描述了Pickup泄漏、漂移管泄漏(包括漏水、漏气、内漏)等不同情况下真空泄漏解决方案,并通过Monte Carlo方法模拟计算,缩小检漏区域。由于漂移管泄漏频率较高,本文给出针对漂移管泄漏的规范操作流程,以提高检漏效率。
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- 关键词：蒙特卡罗方法
- 常见放气率测试方法的量化比较被引量：8
- 2020年
- 对材料放气率的准确测量至关重要,本文对自主设计出的转换气路(SPP)法测试装置进行了试用,装置重复性较好。将此方法与工程上常用的静态升压法、小孔流导法进行了数量上的直观比较,SPP法比小孔流导法、静态升压法测得的放气率更低。结合molflow模拟,实测值与模拟值相互验证,分析了误差来源,明确了提升方向。
- 关玉慧关玉慧董海义宋洪王鹏程董海义刘顺明黄涛孙晓阳
- 关键词：真空技术
- CSNSⅡ离子源及LEBT真空系统
- 2022年
- CSNSⅡ加速器的束流打靶功率从100kW升级至500kW,要求直线加速器平均束流功率从目前的5kW提高到25kW,脉冲束流强度从目前的12.5mA提高到大于40mA。为此,需将当前使用的潘宁(Penning)型表面负氢离子源更改为射频(RF)负氢离子源。考虑到切束器的切束比范围在35%~50%,LEBT通过率可达到75%~95%,故RF负氢离子源需要产生至少50mA的负氢离子束。负氢离子源氢气用量也需要由目前的10sccm提高至不低于20sccm,同时要求LEBT第二腔真空度≤5.0×10^(-3)Pa。基于此,本文对离子源及LEBT真空系统进行了改造,提高了LEBT的束流通过率。并且对比了国内外两款磁悬浮分子泵对氢气的抽速,为后期分子泵的选型以及国产化替代提供一定的参考。
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- 一种磁控溅射镀膜装置及系统
- 一种磁控溅射镀膜装置及系统，其中该磁控溅射镀膜装置包括升降驱动机构以及镀膜机构，镀膜机构中包括用于对管道进行镀膜的螺线管。由于将螺线管设置成可沿被镀管道的轴线方向移动的结构，其在轴向方向上移动，随之磁场移动，从而实现对管...
- 黄涛刘佳明王鹏程刘顺明谭彪马永胜
- 文献传递
