2024年12月25日
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周晔
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深圳大学
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自动化与计算机技术
电子电信
医药卫生
理学
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合作作者
周黎
深圳大学
闫岩
深圳大学
王俊杰
深圳大学
陈雪
深圳大学
张猛
深圳大学
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周晔
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周黎
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闫岩
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王俊杰
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陈雪
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黎冰
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张猛
年份
7篇
2024
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2023
7篇
2022
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2021
11篇
2020
12篇
2019
13篇
2018
11篇
2017
1篇
2016
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基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用
本发明公开了基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用,其中,多级阻变存储器从下至上依次包括:基底、透明底电极、CsPbBr<Sub>3</Sub>钙钛矿阻变层和顶电极。本发明将CsPbBr<Sub>3</Sub>钙...
韩素婷
王燕
周晔
王展鹏
陈锦锐
文献传递
一种湿度敏感的忆阻器及其制备方法与应用
本发明涉及电子科学技术领域,本发明公开了一种湿度敏感的忆阻器及其制备方法与应用,所述湿度敏感的忆阻器包括衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层;其中,所述介质层的材料为湿...
吕子玉
韩素婷
周晔
王燕
翟永彪
杜裕进
易泽庄
一种双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管,其中,自下而上依次包括:衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极,所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成,所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成,所述金属氧化物薄膜...
周晔
王燕
韩素婷
廖秋凡
吕子玉
周黎
文献传递
一种基于MXene电极的半导体器件及其制备方法
本发明公开了一种基于MXene电极的半导体器件及其制备方法,所述半导体器件结构包括自下而上:基底材料、MXene导电薄膜、半导体层和顶电极层。本发明将现有技术中常用于减小费米钉扎的半导体‑介质层‑电极的三层结构变为半导体...
周晔
丁光龙
韩素婷
文献传递
一种多级阻变存储器及制备方法
本发明公开了一种多级阻变存储器及制备方法,其中,多级阻变存储器从下至上包括:刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。本发明采用ZnSe/ZnS核壳量子点薄膜单独作为阻变层,ZnSe和ZnS的最高占据分...
周晔
韩素婷
王展鹏
王燕
陈锦锐
文献传递
一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法
本发明公开一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法,包括基底、依次叠设在所述基底上的第一电极层、活性层以及第二电极层,所述活性层材质为自氧化的二维MXene材料或二维MXene材料与阻变材料的混合物;所述阻变材料...
周晔
丁光龙
杨林
韩素婷
文献传递
一种可重构功能电子器件及其制备方法
本发明公开的一种可重构功能电子器件,所述可重构功能电子器件具体包括依次层叠设置的源漏电极、二维半导体沟道层、二维半导体隧穿层、浮栅层、二维半导体介电层和栅电极,所述浮栅层包括金属纳米颗粒。本发明的浮栅层包括金属纳米颗粒,...
周晔
陈雪
韩素婷
一种双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管,其中,自下而上依次包括:衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极,所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成,所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成,所述金属氧化物薄膜...
周晔
王燕
韩素婷
廖秋凡
吕子玉
周黎
光电存储与神经形态器件
量子效应的主导、器件的散热以及数据传输速率的瓶颈使得摩尔定律的延展不断接近现有架构物理极限,操控载流子输运与俘获、减小最小单元面积、使用新材料以降低热量产生以及新型三维堆叠工艺以提高密度是目前电子存储器件主要的技术路径及...
周晔
一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法
本发明公开了一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法,其中,阻变存储器包括阻变层,采用短肽组装体作为所述阻变层。短肽组装体作为一种生物材料,易于获取,成本较低,具有良好的生物相容性和可降解性,有利于制备绿色环保的存储器件...
韩素婷
周晔
吕子玉
徐振庭
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