张启华
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 非晶层占比对TEM样品成像的影响
- 2020年
- 研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响。聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生畸变失真。在28 nm技术节点以下半导体器件TEM样品制备中,传统的制备方法会使样品在TEM下呈现非晶像或者图像质量不佳而不再适用。制备了一种楔形样品并使用平面转截面的样品制备方法研究了TEM呈晶格像时和非晶层临界占比的关系。实验表明,当样品中非晶层的占比超过0.66时,其在TEM下的成像为非晶像;当低于这一数值时,其在TEM下的成像为晶格像。针对非晶层对样品成像的影响,使用了一种低电压减薄的制备方法,通过降低非晶层占比可以显著优化表面成像,提高TEM样品的质量。
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- 关键词：图像质量
- “楔形”TEM样品的机械研磨制备技术被引量：3
- 2010年
- 介绍了一种用机械研磨法制备集成电路TEM楔形样品的技术,讨论了该制样技术所需注意的关键点,并给出了判断样品薄区是否满足TEM分析要求的两种方法。楔形样品减薄技术兼具制样速度快和样品质量好的优点。该技术既可用于制备非定点TEM样品,也可用于制备定点的TEM样品。给出了用该技术制备的定点失效的MOS器件TEM照片。熟练的技术人员可以用此方法在半小时内完成一个样品的制备。
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- 关键词：机械研磨透射电子显微镜
- 非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究
- 2010年
- DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。
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- 适用于深沟槽结构观测的TEM样品制备技术被引量：1
- 2010年
- 对于深沟槽DRAM电容这类纵向深度深(超过5μm)但是平面尺寸又很小(小于0.2μm×0.2μm)的结构来说,传统的TEM制样方法,无法满足其细微结构全面观测的需求,此外传统的方法制样也比较费时,成功率也比较低。介绍了一种"FIB横向切割"技术,适用于对这类结构的观测。它与传统FIB制样方法的主要区别在于,切割方向由纵向切割改为横向切割。用这种方法制备的TEM样品,可以完整地观测同一个深沟槽DRAM电容结构的所有细微结构。制样过程比较简单、速度快、成功率高。以一个实例分析、比较了传统制样方法和新的制样方法,突显了"FIB横向切割"技术的优点。
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- 关键词：透射电子显微镜聚焦离子束
- 基于误差注意力的晶圆制造数据异常检测被引量：2
- 2020年
- 针对晶圆制造数据异常检测过程中异常特征提取难度大且检测效率不高的问题,提出了一种基于误差注意力的晶圆制造数据异常检测方法。在保持数据分布不变的前提下,将晶圆制造数据转化成灰度图像,根据与正常样本的误差对灰度图像生成基于位置的柔性注意力图,增加误差特征的显性表达并略去冗余特征;利用深度学习神经网络LeNet-5模型将注意力图进行卷积训练,得到异常检测的最优化模型。采用晶圆制造数据集与现有方法进行对比,所提方法耗时缩短160%、F2-Score提高3%,证明了所提方法的有效性。
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- 关键词：异常检测晶圆制造特征提取卷积神经网络
