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李春霞

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇电极
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇二极管
  • 2篇导电类型
  • 2篇截面
  • 2篇截面宽度
  • 2篇保护环
  • 1篇导通
  • 1篇导通压降
  • 1篇压降
  • 1篇氧化层
  • 1篇整流
  • 1篇整流管
  • 1篇势垒
  • 1篇击穿电压
  • 1篇反向击穿
  • 1篇反向击穿电压

机构

  • 3篇比亚迪汽车股...

作者

  • 3篇陈宇
  • 3篇曾爱平
  • 3篇李春霞
  • 3篇陈朝伟
  • 3篇张兴来

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种肖特基二极管及其制造方法
本发明涉及半导体器件，特别涉及一种新型沟槽肖特基整流管，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的隔离层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟...
张兴来李春霞陈朝伟曾爱平陈宇
文献传递
一种形成肖特基二极管的方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环,以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一...
曾爱平张兴来陈朝伟李春霞陈宇
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一种形成肖特基二极管的方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环，以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一...
曾爱平张兴来陈朝伟李春霞陈宇
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