栗力
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究被引量：4
- 2011年
- 利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)方法对VOx薄膜的组份和形貌进行表征。利用THz时域频谱系统(THz-TDS)对VOx薄膜的光致相变性能进行测试。实验表明,VOx薄膜在波长532 nm连续激光照射下具有明显的光致相变特性,且随着薄膜中V元素总体价态的升高,THz透射率达到峰值时的频率逐渐降低。
- 陈涛胡明梁继然后顺保吕志军栗力
- 关键词：频率特性
- 磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜被引量：5
- 2012年
- 采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。
- 吕志军胡明陈涛后顺保梁继然栗力
- 关键词：溅射氧化钒薄膜相变光电性能
