陈丽
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析
- 2015年
- 提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿。CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3GHz,在400~900nm波长范围内,能够得到很大的响应度。
- 王巍杜超雨王婷鲍孝圆陈丽王冠宇王振黄义
- 关键词：CMOS工艺雪崩光电二极管保护环
- 高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6
- 2016年
- 基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、频率响应等特性进行了分析.仿真结果表明：所设计的单光子雪崩二极管器件结构直径为10μm,扩散n阱保护环宽度为1μm时,雪崩击穿电压为13.2 V,3 dB带宽可达1.6 GHz;过偏压为1 V、2 V时最大探测效率分别高达52%和55%;在波长500~800 nm之间器件响应度较好,波长为680 nm时单位响应度峰值高达0.45 A/W.
- 王巍鲍孝圆陈丽徐媛媛陈婷王冠宇
- 关键词：CMOS工艺保护环响应度3DB带宽
- Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析被引量：1
- 2016年
- 设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管（APD）。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明：器件的雪崩击穿电压为-28V,最大内量子效率达到89%,在1.15~1.60μm范围内具有较高响应度,峰值波长位于1.31μm,单位响应度最高达0.74A/W,3dB带宽为10GHz。
- 王振王婷王巍杜超雨陈丽鲍孝圆王冠宇王明耀
- 关键词：GE/SI雪崩光电二极管
- 一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD被引量：1
- 2017年
- 设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿;并且新增加一个深N阱结构,使载流子在扩散到衬底之前被大量吸收,屏蔽了衬底吸收载流子产生的噪声,用以提高器件的响应度。通过理论分析,确定本文所设计的CMOS-APD器件光窗口面积为10μm×10μm,并得到了器件其他的结构和工艺参数。仿真结果表明:APD工作在480 nm波长的光照时,量子效率达到最高90%以上。在加反向偏压-15 V时,雪崩增益为72,此时响应度可达到2.96 A/W,3 d B带宽为4.8 GHz。
- 王巍陈丽鲍孝圆陈婷徐媛媛王冠宇唐政维
- 关键词：响应度带宽
