您的位置： 专家智库 > >

高金明

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科技大学更多>>
发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子温度
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇漂移扩散模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇高频
  • 1篇HBT
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇中国科技大学

作者

  • 1篇高金明
  • 1篇李垚

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证被引量：1
2011年
针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGe HBT的直流和交流理论模型,综合考虑了速度饱和效应、基区和发射区的禁带变窄效应和复合效应,并与台面型SiGe HBT实验结果进行了比较,截止频率为10.5 GHz,电流增益为45,与理论结果基本符合。
高金明李垚
关键词：SIGEHBT漂移扩散模型电子温度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0