刘勇
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电阻率对硅衬底微波传输特性影响分析被引量：2
- 2014年
- 针对传统硅衬底介质损耗大的现象,通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性,系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响,并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。在30 GHz频率范围内,当硅衬底电阻率从10Ω·cm提升至4 000Ω·cm时,微带线插入损耗从20 dB/cm降低至0.6 dB/cm。电阻率大于100Ω·cm的高阻硅衬底微波传输特性优于带MEMS空腔的10Ω·cm低阻硅衬底。结果表明提升电阻率可有效降低硅衬底微波传输损耗,结合低成本成熟工艺等优点,高阻硅衬底具有广阔的微波集成应用前景。
- 刘勇
- 关键词：电阻率硅衬底微带线插入损耗
- 高阻硅衬底集总参数功分器设计
- 2016年
- 文章介绍了高阻硅衬底集成无源器件技术,分析了功分器等效集总参数模型,并设计了一款9.5-9.9GHz的高阻硅衬底集总参数Wilkinson功分器。基于ADS软件,可对功分器版图进行仿真优化设计。该款功分器尺寸<1×0.5mm2,插损<0.5d B、隔离度>20d B、回波损耗>20d B。由于采用高阻硅衬底集成无源器件技术,功分器尺寸小、性能优越,且具有批量生产优势,应用前景广泛。
- 刘勇陈兴国王光池刘建勇
- 关键词：集总参数无源器件功分器高阻硅
- 系统集成中的高阻硅IPD技术被引量：5
- 2014年
- 集成无源器件(IPD)技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部,提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的射频特性,高阻硅IPD技术可以制备出Q值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点,可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台,便于批量生产降低成本。此外,高阻硅IPD技术可与硅通孔(TSV)技术兼容,可实现三维叠层封装。分析表明,高阻硅IPD技术在系统集成中具有广泛应用前景。
- 刘勇
- 关键词：IPD系统集成高阻硅无源器件滤波器
