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徐乾烨

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：天津大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 1篇温度循环
  • 1篇可靠性
  • 1篇剪切强度
  • 1篇封装
  • 1篇封装形式
  • 1篇IGBT

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇陈旭
  • 1篇李欣
  • 1篇梅云辉
  • 1篇徐乾烨

传媒

  • 1篇机械强度

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米银焊膏双面连接IGBT封装形式的强度被引量：6
2014年
采用无铅化电子封装用芯片连接材料—纳米银焊膏,成功制备了IGBT双面连接试样。芯片剪切实验表明双面连接试样中纳米银烧结焊点的平均剪切强度可达约22 MPa。通过加入银缓冲层后,试样平均剪切强度达到27.5MPa。-40℃^+150℃的热循环老化实验表明,添加银缓冲层的双面连接IGBT试样热循环可靠性更高。
梅云辉连娇愿徐乾烨李欣陈旭程维姝
关键词：IGBT剪切强度可靠性温度循环
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共1页<1>
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