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王兰

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:石家庄铁道大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 3篇自旋
  • 2篇自旋相关
  • 2篇夸克分布
  • 1篇电导
  • 1篇有机半导体
  • 1篇深度非弹
  • 1篇输运
  • 1篇自旋极化
  • 1篇自旋输运
  • 1篇自旋注入
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇北方工业大学
  • 2篇石家庄铁道学...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇石家庄铁道大...

作者

  • 3篇米仪琳
  • 3篇赵小青
  • 3篇王兰

传媒

  • 2篇北方工业大学...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
深度非弹中自旋相关的质子结构函数
2007年
从自旋相关的价夸克分布出发,在部分子四动量较大的区域(大x区域),给出了自旋相关的质子结构函数,并将其理论结果与Capella模型给出的结构函数及NMC实验结果进行了比较,其理论结果与实验符合较好.
米仪琳王兰赵小青
关键词:夸克分布
有机半导体的自旋注入和自旋输运
2010年
利用自旋漂移-扩散方程自洽地得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化子电导的自旋相关性对自旋注入效率的影响。计算结果表明,自旋注入效率明显依赖于极化子电导的自旋相关性。在自旋注入效率增加30%的情况下,极化子电导的自旋相关性T=5K时将增大4个数量级左右,表明,在电场作用下的有机半导体自旋注入体系中,考虑极化子电导的自旋相关性对自旋注入的影响有着非常重要的意义。另外自旋注入效率还是位置的函数,但当电场大于100mV/μm后,极化子的自旋相关性几乎不再随极化子所在位置发生变化,自旋注入效率此时也几乎与位置无关。
米仪琳赵小青王兰
关键词:自旋注入自旋输运自旋极化
自旋相关的夸克分布被引量:1
2006年
本文采用质子的夸克-双夸克模型图像,考虑到SU(6)对称性破缺及来自PQCD语言的修正,从Cappela的质子结构模型中提取出了具有更为明确物理意义的自旋相关的夸克分布.
米仪琳赵小青王兰
关键词:夸克分布
共1页<1>
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