刘江锋
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：信阳师范学院物理与电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 亚45nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择被引量：2
- 2007年
- 随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。
- 陈长春刘江锋余本海涂有超戴启润
- 关键词：高介电常数材料应变硅金属栅极
- MOCVD制备的氮化铪薄膜结构特性研究被引量：2
- 2010年
- 以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样品。薄膜结构信息用RBS技术、XRD技术及X射线反射率(XRR)计等来表征。实验结果表明,HfNx薄膜中N与Hf原子组分比为1.15;薄膜为多晶薄膜且沿(111)方向择优生长;薄膜表面平整,与衬底界面粗糙度小。
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- 关键词：金属有机化学气相沉积卢瑟福背散射X射线衍射技术
- 纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术被引量：2
- 2006年
- 应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。
- 陈长春刘江锋余本海戴启润刘志弘
- 关键词：应变SICMOS器件
- 高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术
- 2007年
- 纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。
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- 硅表面纳米图案化制作技术的研究进展被引量：1
- 2010年
- Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提。根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件。介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材料外延制备上的应用,综述了各种Si衬底材料表面纳米图案化制作技术。
- 陈长春余本海刘江锋王林
- 关键词：硅材料
