张元元
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 用正电子湮没技术研究退火温度对钨中氦相关缺陷演化的影响
- 在核能领域和储氚材料的研究中,通过核反应以及氚衰变产生的He会严重影响到相关材料的安全性能和使用寿命,因此,金属中He行为及He相关缺陷的演化成为当前备受关注的问题之一.本文选用的样品为商用的粉末冶金钨,其纯度和密度分别...
- 张元元邓爱红王康卢晓波王玲
- 关键词：钨XRD
- 多能氦离子注入对W金属微结构的影响被引量：2
- 2017年
- 利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450℃和650℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。
- 王康邓爱红龚敏卢晓波张元元刘翔
- 关键词：WHE正电子湮没
- 氦离子行为与钨中相关缺陷演化的研究被引量：2
- 2016年
- 本文通过离子注入向钨体中注入100keV氦离子,并使用慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同注量的氦在钨体内的行为以及氦相关缺陷的演化.实验结果表明:在不同的氦注量条件下,样品的S-W参数呈相同线性分布显示氦离子的注入会引入同一类型的空位型缺陷,并且随着氦离子注量增加,S参数的增大表明引入空位型缺陷浓度的逐渐增加.通过与其他未退火样品对比发现样品退火后的S参数出现明显改变,该结果表明相对于其他影响因素如注量,钨中空位型缺陷更容易受热效应的影响.
- 王勇吴双邓爱红王康王玲卢晓波张元元
- 关键词：钨离子注入氦
- 退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究被引量：2
- 2018年
- 本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.
- 卢晓波刘莉郑明秀王康张元元邓爱红
- 关键词：钨氦离子注入慢正电子束
