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张智超

作品数：5 被引量：4H指数：2
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇碲镉汞
  • 2篇探测器
  • 2篇红外
  • 2篇暗电流
  • 2篇长波
  • 1篇倒装
  • 1篇倒装焊
  • 1篇电子激发
  • 1篇短波
  • 1篇雪崩
  • 1篇氧化层
  • 1篇酸洗
  • 1篇特性分析
  • 1篇碲镉汞探测器
  • 1篇铟柱
  • 1篇面阵
  • 1篇模拟仿真
  • 1篇晶格
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面阵列

机构

  • 5篇华北光电技术...
  • 1篇空军驻华北地...

作者

  • 5篇张智超
  • 1篇孟令伟
  • 1篇赵建忠
  • 1篇邢伟荣
  • 1篇王经纬
  • 1篇温涛
  • 1篇李春领
  • 1篇刘铭
  • 1篇郭喜
  • 1篇李海燕
  • 1篇亢喆
  • 1篇李忠贺
  • 1篇付伟

传媒

  • 3篇激光与红外
  • 2篇红外

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器研究
2021年
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 m的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm·Hz1/2·W^(-1),盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为25.5 mK。经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1 m。最后对该器件进行了成像演示。结果表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。
温涛邢伟荣李海燕李春领刘铭李忠贺郭喜亢喆张智超陈彦冠
关键词：长波红外焦平面阵列
大幅宽多谱段高光谱红外探测器研究
2024年
报道了基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)技术的大幅宽、多谱段、大像元高光谱红外探测器的最新研究进展。采用MBE技术制备出高质量MCT材料;采用成熟的n-on-p技术路线制备探测芯片,并针对特殊形状的大像元进行了优化;高光谱专用读出电路设计针对短波、窄谱段、小信号等典型特征进行了优化,并针对光谱应用加入行增益可调等功能设计。测试结果表明,组件基本性能良好,有效像元率大于99.5%,平均量子效率优于70%。
王经纬王晓龙付志凯张智超孟令伟
关键词：红外探测器碲镉汞分子束外延
长波碲镉汞探测器RV特性分析被引量：2
2019年
对硼离子注入制备的N on P平面结长波碲镉汞探测器的RV曲线进行分析,研究不同偏压下暗电流机制,提取得到探测器的电学参数及理想因子,表明为提升器件性能,需要对探测器的陷阱辅助隧穿电流及产生复合电流进行抑制。通过对长波碲镉汞探测器RV曲线的拟合分析,表明RV拟合技术作为一种有效的分析方法,可用于评估器件性能和工艺状态,并指导工艺改进。
张智超付伟党静
关键词：碲镉汞RV暗电流
氧化层对于倒装焊接质量的影响和分析被引量：2
2009年
利用氧化铟易于溶于酸性溶液的性质,提出了在倒装焊接之前使用酸性溶液对铟柱进行酸洗。在未进行酸洗和进行酸洗的条件下,对比了样品在焊接之后的拉力以及在经过热循环后的盲元率,结果显示酸洗能够降低表面氧化层的影响,有效地改善倒装焊接的质量。
张智超赵建忠
关键词：酸洗倒装焊铟柱
短波碲镉汞电子雪崩二极管的模拟仿真
2018年
碲镉汞e-APD器件可用于低弱信号检测,碲镉汞材料工艺、器件工艺及器件结构设计对器件性能非常重要。本文采用silvaco软件对平面PIN结构的短波碲镉汞e-APD器件的暗电流、雪崩增益和量子效率进行了仿真分析。结果表明:1)高工作电压下,器件暗电流的主要成分是带间直接隧穿电流;2)工艺因素引入的接近禁带中心的陷阱能级决定器件在中等偏压下的暗电流特性;3)带间直接隧穿和电子碰撞电离主要发生在低掺杂的雪崩放大区;4)在固定偏压下,器件的暗电流和雪崩增益随着雪崩放大区宽度的上升而减少;5)在固定偏压下,器件的雪崩增益随吸收层厚度的增加而轻微增加,同时量子效率逐渐下降。为实现高性能的短波碲镉汞e-APD器件,需要合理设计器件结构和优化材料生长工艺及器件制造工艺。
张智超闻娟
关键词：碲镉汞电子激发雪崩暗电流仿真
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