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彭云霞

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：江南大学物联网工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇有源层
  • 1篇态密度
  • 1篇晶体管
  • 1篇仿真
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管

机构

  • 1篇江南大学

作者

  • 1篇钟传杰
  • 1篇潘东
  • 1篇彭云霞

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
2017年
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。
彭云霞潘东钟传杰
关键词：态密度
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