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戚辉

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:天津理工大学理学院材料物理研究所更多>>
发文基金:天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇有机场效应晶...
  • 1篇衰变
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇并五苯
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇曾宪顺
  • 1篇印寿根
  • 1篇姜春霞
  • 1篇闫齐齐
  • 1篇邓家春
  • 1篇戚辉
  • 1篇张达
  • 1篇刘爱华

传媒

  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复被引量:1
2011年
制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个月后,输出特性曲线明显衰退,并且关态电流增大;为恢复器件性能,在真空条件下,对器件进行加热处理。实验结果表明,经过热处理的晶体管输出特性极大改善。因此,真空热处理可以使衰退器件的输出特性得到恢复。
戚辉刘爱华姜春霞闫齐齐张达曾宪顺邓家春印寿根
关键词:并五苯衰变
共1页<1>
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