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MnxGe1-x薄膜结构磁性和输运特性的研究: 2009年; 用磁控溅射法制备了MnxGe1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品。X射线衍射(XRD)表明所有样品为Ge立方体结构,没有发现第二相存在。晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加,符合Vegard定律。磁力显微镜(MFM)测量表明没有明显的磁畴结构出现,原子力显微镜(AFM)测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长。X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态。电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加,Mn原子处于深的受主态,电阻率随温度增加而减小,样品仍表现为典型的半导体特性。物理性质测量仪测量表明样品的铁磁性是固有的长程有序的,通过s、p-d载流子的交换耦合来实现。; 刘清华乔双刘永利; 关键词：半导体磁畴电阻率

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乔双