叶林
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 非晶硅薄膜的沉积速率研究被引量：1
- 2008年
- 利用PECVD方法在硅片上制备了非晶硅薄膜,通过正交实验得出影响薄膜沉积速率和折射率的主要参数为气体流量和射频功率,分别研究了这两个参数对沉积速率和折射率的影响。结果表明:当气体流量低于240 sccm时,薄膜沉积速率随气体流量增加而增加,而折射率则随之减小;当流量大于240 sccm时,沉积速率出现饱和,折射率的变化并不明显。当射频功率低于120 W时,薄膜沉积速率随着功率的提高而增大,而折射率则随之减小;当功率大于120 W并进一步提高时,沉积速率成下降趋势,折射率则随之增大。
- 周顺秦文罡叶林刘卫国
- 关键词：非晶硅等离子体化学气相沉积沉积速率折射率
