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一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法: 本发明涉及一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。本发明两步法制备立方相Sr3YCo4O10.5+δ薄膜，首先制备Sr3...; 虞澜胡建力宋世金康冶刘安安黄杰; 文献传递

c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长被引量：4: 2016年; 采用脉冲激光沉积技术在0°,5°,10°c轴倾斜ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上制备出c轴生长CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜。用X射线衍射Φ扫描分析薄膜与衬底(0001)晶面的结晶取向关系为<1100>CuCrO_2∥<1120>ɑ-Al_2O_3,并进一步通过θ扫描、2θ扫描表征5°和10°c轴倾斜衬底上CuCrO_2薄膜与衬底(0006)晶面之间的倾斜角度差值由0.43°增加到1.76°,得到薄膜c轴外延性随衬底倾斜角变大而变差。AFM观察生长在ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上的CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜为层状形貌,且倾斜衬底上薄膜晶粒尺寸减小,晶界增加。ρ-T测量曲线表明:相比平直衬底,10°倾斜衬底上CuCrO_2薄膜的电阻率略有升高,这是由于倾斜衬底上薄膜结晶质量较差及晶界对载流子散射增强所致,与XRD和AFM结果相一致。; 樊堃虞澜秦梦刘丹丹康冶宋世金陈亮维; 关键词：脉冲激光沉积外延性

一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法: 本发明涉及一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。本发明两步法制备立方相Sr3YCo4O10.5+δ薄膜，首先制备Sr3...; 虞澜胡建力宋世金康冶刘安安黄杰; 文献传递

一种室温铁磁磁性半导体材料及应用: 本发明公布一种新型室温铁磁磁性半导体材料及应用，该材料的化学式为Sr4‑xYbxCo4O10.5(0.6≤x≤1.2)，其居里温度T...; 虞澜康冶宋世金樊堃胡建立谭红琳; 文献传递

室温铁磁Sr4-xRxCo4O10.5(R=Er,Y)材料的磁、电性能和LIV效应研究: 复杂钙钛矿结构的Co基氧化物Sr3/RCo4O105+δ(R为Y或者Ln)具有独特的室温铁磁性和掺杂热电效应等,是由于其结构中的CoO4.5四面体层的氧空位有序、A位Sr2+:Y3+=3:1有序等因素共同决定的,引起研究...; 康冶; 关键词：室温铁磁性各向异性; 文献传递

一种室温铁磁磁性半导体材料及应用: 本发明公布一种新型室温铁磁磁性半导体材料及应用，该材料的化学式为Sr4?xYbxCo4O10.5(0.6≤x≤1.2)，其居里温度T...; 虞澜康冶宋世金樊堃胡建立谭红琳

室温铁磁Sr_(4-x)Er_xCo_4O_(10.5+δ)(0.6≤x≤1.2)多晶电输运和磁性能被引量：1: 2016年; 采用固相反应法制备Sr_（4-x）Er_xCo_4O_（10.5＋δ）（0.6≤x≤1.2）多晶,系统研究了Er掺杂对体系结构、电输运和磁性质的影响。X射线衍射结果表明室温下x=0.4时多晶为立方晶系,空间群为P3—m3,0.6≤x≤1.2时,为四方晶系,空间群为I4/mmm,四方相晶格常数随着Er含量增加而减小。扫描电子显微镜结果表明,随着Er掺杂量增加,晶粒细化,晶界增加。采用四探针法测量多晶的电阻率-温度曲线,结果表明多晶样品在80-300 K为半导体电输运行为,且随Er化学计量比增加样品电阻率和热激活能增大。采用超导量子干涉仪测量多晶的磁化强度-温度曲线和磁滞回线,结果表明0.6≤x≤1.2时Sr_（4-x）Er_xCo_4O_（10.5＋δ）多晶具有室温铁磁性,Tc≈320-335 K,室温铁磁性可能源于A位Sr和Er离子有序及Co O4.5＋δ层中Co离子自旋倾斜净磁矩不为零。; 康冶虞澜杜小丽樊堃宋世金谭红琳陈亮维杨森; 关键词：室温铁磁性磁化强度磁滞回线

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康冶