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张卫红

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电池
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇入射
  • 1篇入射角
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光刻蚀
  • 1篇光刻
  • 1篇硅片
  • 1篇反射率
  • 1篇表面织构

机构

  • 1篇青岛理工大学
  • 1篇沈阳理工大学

作者

  • 1篇张红丽
  • 1篇乌日娜
  • 1篇吴杰
  • 1篇宋建宇
  • 1篇张卫红

传媒

  • 1篇沈阳理工大学...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
激光刻蚀角度对多晶硅片表面反射率的影响被引量：1
2014年
利用激光分别以0°、30°、45°、60°的入射角对多晶硅片表面进行刻蚀,然后用10%NaOH溶液腐蚀去除损伤层,从而构造多晶硅片表面织构。采用光谱仪测试多晶硅片表面反射率,应用扫描电镜表征多晶硅片样品表面形貌,研究激光刻蚀角度对多晶硅片表面反射率的影响。结果表明:随激光刻蚀角度不同,多晶硅片表面反射率变化明显,其中刻蚀角度为45°时,多晶硅片表面反射率降低最为显著。
张卫红宋建宇张红丽吴杰乌日娜
关键词：表面织构激光刻蚀入射角反射率
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