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秦嵩

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电磁式
  • 1篇圆片
  • 1篇圆片级
  • 1篇圆片级封装
  • 1篇力敏电阻
  • 1篇键合
  • 1篇共晶键合
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基薄膜
  • 1篇封装
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇MEMS
  • 1篇残余应力

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇焦继伟
  • 2篇王敏昌
  • 2篇秦嵩
  • 1篇钱清
  • 1篇宓斌伟
  • 1篇张颖
  • 1篇颜培力
  • 1篇刘文俊
  • 1篇张铁军

传媒

  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硅基电磁式MEMS微扬声器结构设计和制作被引量:1
2014年
设计制作了一种高音质电磁微机电系统(MEMS)扬声器,该结构由悬臂梁支撑的硅基薄膜、固定在硅基薄膜上的钐钴磁体以及制作在PCB板上的铜线圈组成。扬声器微结构利用体微加工工艺制作,微梁支撑的硅基薄膜刚度较大,在音频范围内只有三个振动模态,远少于传统电磁式微扬声器使用的聚合物薄膜振动模态数,减少了尖声信号出现,提高了声音的质量。悬臂梁结构可以提供较大的振动幅度以及很好的振动线性度,从而获得更高的声压。扬声器结构硅基薄膜直径1mm,厚度25μm,悬臂梁宽度20μm,厚度25μm,具有音质好、声压大的特点。
刘文俊王敏昌秦嵩颜培力宓斌伟张颖张铁军焦继伟
关键词:硅基薄膜
圆片级封装铝锗键合后残余应力的测量和分析
2016年
以圆片级铝锗键合后的残余应力为研究对象,在键合环下方和周围制作了一系列形状相同的力敏电阻条,通过比较键合前后力敏电阻条的阻值变化,分析电阻条处残余应力的大小及与工艺相关性。结果表明:键合环内外的压阻变化约为键合环下方压阻变化的3倍。这种方法可以作为晶圆级键合质量的有效在线表征手段之一。
秦嵩焦继伟王敏昌钱清
关键词:残余应力力敏电阻
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