李爱丽
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：鲁东大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：山东省高等学校科技计划项目山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征。结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4Ω/□。
- 李爱丽闫金良石亮刘建军
- 关键词：透明导电膜多层膜光学性质电学性质
- Ga_2O_3/ITO/Ga_2O_3深紫外透明导电膜的研究被引量：1
- 2009年
- 采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/Ga2O3(45nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.
- 刘建军闫金良石亮李爱丽
- 关键词：光电性质
- 纳米Cu夹层ZnO透明导电膜被引量：3
- 2010年
- 用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了Cu纳米夹层结构ZnO透明导电膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪和原子力显微镜等测试手段对薄膜样品进行表征。室温制备的Cu夹层ZnO薄膜,随着Cu层厚度的增加,ZnO层结晶性变差,可见光区域光学透过率减小,透射曲线蓝移,电阻率先迅速下降后缓慢下降。基底温度对薄膜表面形貌和粗糙度影响显著,随着基底温度的增加,薄膜在可见光区域光学透过率增加,电阻率随基底温度增加而增加。
- 闫金良李清山李爱丽刘建军石亮
- 关键词：ZNO薄膜光学性能电学性能
- 薄膜厚度对Cu膜光电性能的影响被引量：5
- 2008年
- 在室温条件下,用直流磁控溅射Cu靶制备出了不同厚度的Cu膜,测量了Cu膜的光学透过率和面电阻,分析了光电性质薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,随着Cu膜厚度的增加,其光学透过率逐渐减小,透过率在波长为580 nm处出现峰值.Cu膜的面电阻随薄膜厚度的增加先急剧减小,然后减小变得缓慢,最后趋于定值.理论模拟了Cu膜的光学透过率随薄膜厚度的变化和光学透过率随入射光波长的变化,理论模拟结果与实验结果吻合.
- 李爱丽王本军闫金良孙学卿秦清松
- 关键词：CU膜直流磁控溅射面电阻
- 纳米Al夹层Ga_2O_3深紫外透明导电膜的研究被引量：1
- 2009年
- 用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜,对其光学和电学性能进行了表征。单层Al膜厚度大于7nm时,光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域;Ga2O3膜在深紫外光区域(<300nm)透明,光学带隙4.96eV;Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜透射率截止波长在245nm左右,随着顶层Ga2O3厚度增加,电导率减小,紫外光透射率峰位、吸收边、截止波长红移,透射率峰值先稍微增加,然后逐渐降低。顶层Ga2O3厚度为34nm时,Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜在275nm处的透射率达70%,电导率为3346S.cm–1。
- 石亮闫金良刘建军李爱丽
- 关键词：磁控溅射深紫外多层膜透明导电膜
