赵守田
- 作品数:4 被引量:10H指数:2
- 供职机构:北京科技大学数理学院物理系更多>>
- 相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 微合金钢高温热塑性低谷区硼的偏聚被引量:3
- 2010年
- 利用径迹显微照相技术研究了2.25Cr-1.0Mo钢以15℃/s从1320℃冷却到1000、900、800℃等温10s时硼的分布,讨论了硼的偏聚对含硼低碳钢热塑性的影响。结果表明,从高温冷却到各实验温度时,硼偏聚到奥氏体晶界,在900℃左右偏聚量最大。含硼0.00075wt%样品晶界与晶内均未出现明显的含硼析出,含硼0.0035wt%的样品冷却到900℃和800℃时,时,晶界与晶内出现少量含硼析出物。含硼0.0081wt%的样品,在1000℃时,晶界和晶内均已出现大量含硼析出物,随着温度的降低,含硼析出物增多,冷却到800℃时,偏聚到晶界的硼多数已析出。分析表明添加硼后,硼偏聚到奥氏体晶界,抑制了晶界处铁素体的形核,提高了含硼钢的热塑性。
- 赵守田吴平郭爱民陈森唐文斌王学敏杨善武贺信莱
- 关键词:硼偏聚热塑性微合金钢
- 含铜超低碳微合金钢冷却过程硼的晶界偏聚被引量:1
- 2011年
- 用硼径迹显微照相技术研究含铜超低碳微合金钢从1 150℃以5℃/s冷却到850℃过程中硼的晶界偏聚的形成与发展的过程。统计分析了冷却到不同温度时富集因子与贫化区宽度的变化,研究表明在冷却初始阶段硼—空位复合体迅速扩散到晶界上,使晶界上的硼迅速增加,在1 090℃达到极大值,冷却到1 090~940℃区间时,随着温度的降低晶界上的硼发生明显的反向扩散,晶界上的硼逐渐减少,继续降低温度,随着析出物的出现反向扩散变弱,晶界上硼的偏聚量又开始增加。
- 赵守田吴平陈森赵鑫
- 关键词:铜硼晶界偏聚
- 超低碳微合金钢中硼的偏聚被引量:6
- 2009年
- 用硼径迹显微照相技术研究了超低碳微合金钢从1150℃以5℃/s冷却到850℃过程中硼晶界偏聚的形成与发展过程,测量了不同温度时硼富集因子与贫化区宽度,分析了铜元素对硼晶界偏聚的影响。结果表明:在冷却初始阶段,晶界硼偏聚量迅速增加,在1000℃左右达到最大值后,随着温度的降低,硼晶界偏聚量开始逐渐减少,在910℃左右达到最小,温度继续降低,晶界上硼的偏聚量又开始增加。实验结果还表明添加铜元素能促进硼向晶界的偏聚。
- 赵守田吴平陈森赵鑫苑少强王学敏杨善武贺信莱
- 关键词:硼非平衡偏聚铜
- 氧氩比对低活化马氏体钢表面氧化铪涂层性能的影响
- 2009年
- 本文采用射频磁控溅射法在不同氧氩比下制备氧化铪涂层。研究了涂层的沉积速率、表面形貌、微观结构和电绝缘特性随氧氩比的变化。结果表明用此方法在低活化马氏体钢上制备的氧化铪涂层表面致密、无明显孔洞;低活化马氏体钢为衬底时涂层较易结晶为以单斜相为主的晶体结构;且涂层的绝缘特性受氧氩比影响较大,氧氩比为0.7和1.2下制备的涂层击穿场强小于1MV/cm,电绝缘特性较差,在较低氧氩比下制备的涂层有较理想的绝缘性能。
- 宋斌斌吴平周多文闫丹赵以德赵守田张师平陈森
- 关键词:射频磁控溅射氧化铪X射线衍射绝缘涂层