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陈玉蓉

作品数：8 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇单粒子
  • 4篇电路
  • 4篇总剂量
  • 3篇单粒子翻转
  • 3篇SRAM
  • 3篇DICE
  • 2篇单粒子效应
  • 2篇电路技术
  • 2篇总剂量辐射
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路技术
  • 2篇SOI
  • 2篇存储阵列
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电路结构
  • 1篇读出电路
  • 1篇多电源
  • 1篇三维仿真
  • 1篇双模

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇陈玉蓉
  • 5篇张猛华
  • 5篇沈婧
  • 2篇徐静
  • 2篇薛海卫
  • 2篇洪根深
  • 2篇王蕾
  • 1篇徐大为
  • 1篇肖志强
  • 1篇周淼
  • 1篇徐新宇
  • 1篇高向东
  • 1篇陈振娇

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇计算机应用文...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一款NoC总线的低功耗设计
2024年
随着集成电路技术的飞速发展,其集成度和复杂度越来越高,导致芯片功耗问题日益严重。文章提出一套兼容片上网络(Net on Chip,NoC)总线的功耗管理总线,针对不同电源域进行低功耗管理,通过电源域开关协议将电源域状态同步到事务活动,且不影响系统其他部分的操作。实验结果表明,功耗管理总线具有低成本、协议简单、兼容性好、轻量级等优势。
徐新宇陈玉蓉张猛华
关键词：低功耗
基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列
本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。所述方法包括：在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔...
陈玉蓉沈婧黄韵荃张猛华
文献传递
面向SoC的SRAM读出电路加固设计被引量：1
2021年
SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力,但相比较单模双互锁结构的SRAM,双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短。
沈婧薛海卫陈玉蓉张猛华王蕾
关键词：SOC单粒子翻转
抗辐射数字电路加固技术研究被引量：5
2012年
文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。
徐大为徐静肖志强高向东洪根深陈玉蓉周淼
关键词：抗辐射SOI总剂量
一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构
本发明公开涉及一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，电路结构中包括两个灵敏放大器，十六个NCMOS管和十六个PCMOS管，两组数据通过两个灵敏放大器放大后输入与锁存单元连接，锁存单元的两端分别与带两级OE控...
沈婧陈玉蓉薛海卫张猛华强小燕陈振娇
文献传递
基于分离位线DICE结构的SRAM存储单元版图抗辐射设计
2023年
在SRAM加固设计中,存储单元的版图抗辐射设计起着重要的作用。基于分离位线的双互锁存储单元(DICE)结构,采用0.18μm体硅工艺,根据电路功能、结构和抗辐射性能,设计了一种新的NMOS隔离管的SRAM存储单元版图结构。根据分析结果,SRAM存储单元在确保存储单元功能的前提下,具备抗总剂量效应、抗单粒子翻转和抗单粒子闩锁效应,同时可实现单元面积的最优化。
陈玉蓉沈婧王蕾
关键词：总剂量效应单粒子翻转
驱动能力对SOI SRAM单元单粒子效应的影响仿真被引量：2
2012年
采用silvaco软件对抗辐射不同沟道宽度的PD SOI NMOS器件单元进行了三维SEU仿真,将瞬态电流代入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟。通过这种电路模拟的方法,可以得到SRAM存储单元的LET阈值。通过对比LET阈值的实际测量值,验证了这种方法的实用性,并对不同驱动能力的SRAM单元进行了翻转效应的对比。在NMOS和PMOS驱动比相同的情况下,沟道宽度越大,SRAM的翻转LET阈值反而越高。
徐静陈玉蓉洪根深
关键词：SOISEU三维仿真
基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列
本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。所述方法包括：在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔...
陈玉蓉沈婧黄韵荃张猛华
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