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X波段4 bit MMIC数字移相器的设计与实现被引量：3: 2017年; 基于WIN 0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构。对拓扑结构工作原理进行分析,并采用ADS2014软件完成电路的电磁仿真及优化。测试结果表明,该4 bit MMIC数字移相器获得了优良的宽带性能,且与仿真结果吻合良好。在8~13 GHz频带内,移相器的均方根(RMS)相位精度误差小于6.5°,插入损耗优于-6.8 dB,RMS插入损耗波动低于0.5 dB,输入回波损耗优于-13 dB,输出回波损耗优于-9.5 dB。该4 bit MMIC数字移相器在相对带宽为47%的X频段内性能优良,适用于有源相控阵雷达等通信系统中。; 孙朋朋刘辉耿苗张蓉王琦罗卫军; 关键词：数字移相器

数字移相器: 本发明公开了一种数字移相器。该数字移相器包括：第一开关电路；第二开关电路；低通滤波电路，低通滤波电路的第一端与第一开关电路的第一端连接，低通滤波电路的第二端与第二开关电路的第一端连接；高通滤波电路，高通滤波电路的第一端与...; 王琦罗卫军孙朋朋刘新宇; 文献传递

开关功率放大器: 本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明...; 刘辉罗卫军张蓉孙朋朋耿苗张宗敬

X波段六位数字移相器设计: 数字移相器是用来改变传输信号相位的器件,在相控阵雷达、卫星通讯、通信基站、航空航天等领域中有着广泛的应用前景,而相控阵雷达是移相器最为重要的应用领域,移相器部件的性能决定了T/R组件设计的成败,其成本、性能、质量、体积、...; 孙朋朋; 关键词：数字移相器 X波段

开关功率放大器: 本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明...; 刘辉罗卫军张蓉孙朋朋耿苗张宗敬; 文献传递

X波段大相位高低通移相器MMIC的设计与实现被引量：3: 2016年; 基于WIN 0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,针对大相位移相器容易在宽带情形下出现的性能恶化问题,采用ADS2014仿真软件,成功设计并实现了两款大相位（90°和180°）的X波段（8-12 GHz）宽带数字移相器电路,其拓扑形式为高低通结构,并采用奇偶模分析方法,对高低通滤波网络进行分析。最终在片测试结果表明,其获得了优良的宽带性能,且与仿真结果相吻合。该设计90°移相器电路在频带内相位误差为-3.7°-0°,插入损耗优于2.15 d B,回波损耗优于19 d B;180°移相器电路在频带内相位精度为-6.2°-2°,插入损耗优于2.65 d B,回波损耗优于17 d B。该移相器在相对带宽为40%的X波段内取得良好的插入损耗与回波特性,适用于频带较宽的多位级联数字移相器中。; 王琦孙朋朋张蓉耿苗刘辉罗卫军; 关键词：数字移相器 X波段

一种数字移相器: 本发明公开一种数字移相器，包括数字移相电路和GaN基；其中，数字移相电路位于GaN基上，数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路，该全通型结构的数字移相电路具有AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管(HEMT...; 罗卫军孙朋朋刘辉张宗敏耿苗张蓉

X波段GaN基小相位移相器设计被引量：1: 2018年; 基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测试结果表明,两个小相位移相器性能良好,且测试结果与仿真结果吻合。在8~12 GHz频带内,11.25°和22.5°移相器电路的相移精度小于2.8°,输入回波损耗分别优于-15和-12 dB,插入损耗值分别小于1和1.5 dB,幅度波动分别小于0.8和1.3 dB。两个移相器电路的1 dB压缩点输入功率均大于36 dBm,其功率容限优于GaAs HEMT设计的移相器。结果表明,所设计的移相器具有优异的相移精度以及良好的功率性能,可广泛应用于高精度和大功率的雷达系统中。; 刘辉孙朋朋孙朋朋罗卫军; 关键词：移相器 GAN HEMT X波段

高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1: 2017年; 在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al_2O_3介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS-HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3mA/mm.通过变频变温C-V方法测试提取的Al_2O_3介质层与AlGaN势垒层之间的界面态密度相应于能级范围(EC-0.35)eV^(EC-0.65)eV从8.50×1012 cm-2eV-1减小到9.73×1011 cm-2eV-1.另外,研制器件展示了突出的射频性能,其截止频率(fT))为30.5GHz,最高振荡频率(fmax)为71.5GHz.连续波测试模式时,该器件在8GHz频率下,饱和输出功率密度为1.7 W/mm,相应附加功率效率为32.6%.展现出凹栅增强型MISHEMT在X波段射频电路中的应用潜力.; 张蓉张蓉罗卫军罗卫军孙朋朋刘辉; 关键词：增强型

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孙朋朋