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常旭

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：河北工业大学土木工程学院交通工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇锗硅
  • 1篇探测器
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇PIN
  • 1篇锗

机构

  • 1篇天津工业大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇牛萍娟
  • 1篇杨广华
  • 1篇李俊一
  • 1篇张宇
  • 1篇李欢
  • 1篇常旭
  • 1篇张秀乐

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟被引量：1
2008年
介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8×10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想。采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结。
李欢牛萍娟杨广华李俊一张宇常旭张秀乐
关键词：光电探测器锗硅缓冲层
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共1页<1>
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