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张先坤
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48
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H指数:1
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北京科技大学
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张铮
北京科技大学材料科学与工程学院
张跃
北京科技大学材料科学与工程学院...
刘硕
北京科技大学
林沛
北京科技大学
申衍伟
北京科技大学
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一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法,包括:绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组;基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域,其中,悬空沟道区域用于抑制静态电流;第一电极组包...
张跃
卫孝福
张铮
张先坤
于慧慧
高丽
洪孟羽
都娴
一种过渡金属族硫化物逻辑运算器及其构筑方法
本发明属于逻辑运算器领域,涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为:对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护,另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受...
张跃
高丽
张铮
廖庆亮
高放放
张先坤
柳柏杉
杜君莉
于慧慧
洪孟羽
欧洋
肖建坤
全二维金属/半导体界面与器件
超薄的二维材料因其原子级平整的表面和对短沟道效应出色的免疫力被认为是未来电子学器件的潜在候选材料。一个高性能半导体器件的应用与服役是离不开一个高质量的金属/半导体接触。
张先坤
一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用
本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用,涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底;少层石墨烯完全覆盖目...
张跃
汤文辉
张铮
于慧慧
高丽
张先坤
洪孟羽
曾浩然
卫孝福
一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法
本发明涉及一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法,属于二维过渡金属硫族化合物材料生长技术领域,本发明采用两步法CVD生长二维MoTe<Sub>2</Sub>,解决了一步法CVD生长二维MoTe<Sub>2<...
张跃
李瑞山
张铮
张先坤
冉义师
张彦哲
上官炜
刘一禾
姜鹤
二维MoS2光电性能的缺陷调控研究
以层状二硫化银(MoS2)为代表的二维过渡金属硫化物(transition-metal dichalcogenides,TMDs)是广受关注的二维半导体材料体系。他们具备超薄的体厚度、原子级平整的界面、合适的禁带宽度以及...
张先坤
关键词:
同质结
一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法,包括:绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组;基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域,其中,悬空沟道区域用于抑制静态电流;第一电极组包...
张跃
卫孝福
张铮
张先坤
于慧慧
高丽
洪孟羽
都娴
一种碲纳米片厚度减薄的方法
本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法,属于纳米材料技术领域,所述方法包括以下步骤:将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中,取出干燥,即得所述厚度减薄的碲纳米片;本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应,对碲纳米片...
张跃
于慧慧
张铮
曾浩然
张先坤
高丽
洪孟羽
汤文辉
李瑞山
卫孝福
一种基于可溶性牺牲层的图案化薄膜材料转移方法
本发明公开了一种基于可溶性牺牲层的图案化薄膜材料转移方法,属于晶体管的构筑工艺技术领域。本发明提供的方法操作简单,利用水溶液作为可溶性牺牲层的刻蚀溶液在将牺牲层刻蚀的同时保证不对最终所需的目标薄膜材料造成破坏,同时,可溶...
张跃
徐明杰
张铮
张先坤
杨佳佳
王玉南
尚金森
一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法
本发明涉及紫外光电探测器技术领域,具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法;所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底,设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上...
张跃
于慧慧
张铮
张先坤
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