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曾静雯

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
发文基金：四川省应用基础研究计划项目四川省科技攻关计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电极
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰电极
  • 1篇原位生长
  • 1篇化学修饰
  • 1篇化学修饰电极

机构

  • 1篇西南交通大学

作者

  • 1篇杨槐
  • 1篇何正文
  • 1篇江奇
  • 1篇赵勇
  • 1篇曾静雯
  • 1篇李影

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
原位生长缺陷碳纳米管化学修饰电极的研制
2009年
利用浸渍法将碳纳米管(CNT)催化剂附着在石墨电极表面,用化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME)。通过控制催化剂及反应气体的配比,在石墨电极表面得到的管壁多缺陷的CNT,研究表明这种GSCNT-CME具有良好的电化学检测性能。研究还发现这种GSCNT-CME具有高稳定性的原因是CNT是基于石墨电极上碳原子的晶格而生长的。
杨槐江奇何正文李影曾静雯赵勇
关键词：化学修饰电极原位生长
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共1页<1>
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