王鑫
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 供职机构：苏州科技学院数理学院更多>>
- 发文基金：苏州市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 铜掺杂纳米氧化锌薄膜的制备及光学特性被引量：4
- 2013年
- 氧化锌(ZnO)是一种新型稀磁半导体材料,有优良的磁学及光学性质,透明度高,常温发光性能优异。根据半导体掺杂原理,以氧化锌为原料,过渡金属元素铜为掺杂元素,采用化学气相沉积法(CVD),制备了铜掺杂纳米氧化锌薄膜。利用晶向显微镜观察ZnO∶Cu在衬底硅片上的表面形貌和生长情况,利用光致发光谱和分光光度计分析了样品的光发射和光吸收特性,研究了薄膜的伏安特性。发现铜掺杂对氧化锌薄膜的光吸收和光发射以及表面伏安特性都有很大的影响。随铜掺杂含量的增加,光吸收强度明显增大,光发射峰更加丰富。适当掺杂量的情况下,电流明显增大,但掺杂量太大,会引入缺陷和晶界,反而会使漏电流增大。10%-20%掺杂量为比较理想的掺杂量。
- 张浩王鑫董洁雯邵雪峰马锡英
- 关键词：化学气相沉积法吸收谱光致发光伏安特性
- 用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜及其电学性能研究被引量：1
- 2013年
- 以甲烷作为反应气体、利用高温化学气相沉积法分别在纯硅片和镀镍镉过渡层硅片上沉积石墨烯薄膜,应用金相显微镜和电学特性测试分析了700,900,950℃温度下生长的石墨烯薄膜的表面形貌、伏安特性及其他电学特性.发现镍铬过渡层具有显著的催化作用,可有效降低石墨烯的生长温度.随着生长温度的升高,样品中电子迁移率随之增大,伏安特性的线性度也越好.对纯硅片上生长的石墨烯,发现高温有利于甲烷有效分解和成核,可有效提高表面电子浓度和电子迁移率,其迁移率可达到2.52×104 cm2/V.
- 张浩董洁文吕孝鹏王鑫许元鲜邵雪峰王珊珊邓雅丽陈康烨马锡英
- 关键词：石墨烯化学气相沉积法金相显微镜电学性质
