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马俊

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇太阳电池
  • 1篇微晶
  • 1篇RF-PEC...
  • 1篇SI-GE
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇南开大学

作者

  • 1篇李天微
  • 1篇杨旭
  • 1篇赵颖
  • 1篇张建军
  • 1篇曹宇
  • 1篇黄振华
  • 1篇倪牮
  • 1篇耿新华
  • 1篇马俊

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池被引量：7
2013年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600nm的情况下,获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1 100nm处的光谱响应达5.49%。
曹宇张建军李天微黄振华马俊杨旭倪牮耿新华赵颖
关键词：衬底温度太阳电池
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