张伟
- 作品数:5 被引量:18H指数:3
- 供职机构:中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程更多>>
- 大周长面积比延伸波长InGaAs红外焦平面噪声被引量:4
- 2012年
- 在理论上分析了红外焦平面组件中光敏元、读出电路以及两者耦合的总噪声特性,对大周长面积比(38×500μm2)延伸波长InGaAs组件的噪声与温度、积分时间的关系进行了实验和分析.实验结果指出,在一定条件下组件噪声与积分时间的根号并不成正比.测量了不同温度下的组件暗信号、噪声,得到组件噪声与暗电流的关系,分析表明,该种组件噪声主要来自于1/f噪声及读出电路输入级电流噪声.
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- 关键词:积分时间
- 红外焦平面读出电路片上驱动电路设计被引量:3
- 2011年
- 线列红外焦平面读出电路在正常工作时需要提供多路数字脉冲和多路直流偏置电压。本文基于0.5μm CMOS工艺设计了一款驱动电路芯片,为电容负反馈放大型(CTIA)读出电路(ROIC)提供驱动信号。电路芯片采用带隙基准电路产生低噪声低温漂的直流偏置电压,采用数字逻辑电路生成CLK1,CLK2,RESET等八路数字脉冲。仿真及测试结果表明:驱动电路芯片输出的数字脉冲及偏置电压符合设计值,可驱动CTIA型线列红外焦平面读出电路稳定工作。
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- 关键词:红外焦平面读出电路带隙基准
- 边积分边读出低噪声红外焦平面读出电路研究被引量:11
- 2011年
- 设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5μm 5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态良好,电路噪声约1.7×10-4 V,动态范围大于80 dB.
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- 关键词:红外焦平面读出电路相关双采样
- 基于输入失调补偿的暗电流抑制读出电路研究被引量:1
- 2011年
- InGaAs光敏元的暗电流是衡量探测器材料性能的一个重要指标。对于2.4μm延伸波长InGaAs,它的暗电流比1.7μm的要大2~3个数量级。文章简单介绍了InGaAs光敏芯片的暗电流、噪声和偏压的关系。光敏元的偏压越小,暗电流和噪声越小。侧重介绍了一种基于输入失调电压补偿的InGaAs暗电流抑制电路的结构。此电路有两种工作模式:失调电压补偿模式和不补偿模式。在补偿模式下,即使放大器两个输入端的失调电压达到28 mV,光敏元两端电压通过补偿后可以降低到小于0.5 mV。
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- 关键词:暗电流失调电压
- 光谱成像用红外焦平面读出电路研究
- 2011年
- 红外焦平面是光谱成像系统的核心器件。讨论了多光谱用红外焦平面读出电路的特点,设计了用于多光谱成像的64×16元红外焦平面读出电路。读出电路采用CTIA输入级,快照式曝光方式,边积分边读出工作。电路芯片与InGaAs光敏芯片阵列通过铟柱倒焊的方法,组成混成互连焦平面器件,像元间距50μm,响应波段0.9~1.7μm,盲元率0.2%,半阱时的响应不均匀性4.7%。
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