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朱晓燕

作品数:3 被引量:23H指数:2
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇复合材料
  • 2篇复合材
  • 1篇氮化硅
  • 1篇性能研究
  • 1篇直接氮化
  • 1篇梭式窑
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅复合材...
  • 1篇热力学
  • 1篇匣钵
  • 1篇显微结构
  • 1篇化学热力学
  • 1篇SI
  • 1篇SI3N4-...
  • 1篇SIC复合材...
  • 1篇FE-SI

机构

  • 3篇北京科技大学
  • 2篇中钢集团

作者

  • 3篇李勇
  • 3篇朱晓燕
  • 3篇王佳平
  • 2篇张建芳
  • 2篇薄钧
  • 1篇薛文东
  • 1篇孙加林
  • 1篇陈俊红

传媒

  • 2篇耐火材料
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
用Si-Fe反应烧结制备Fe-Si_3N_4-SiC复合材料的性能研究被引量:2
2010年
以FeSi75和SiC为主要原料,直接氮化反应烧结,成功制备了综合性能优异的Fe-Si3N4-SiC复合材料。对硅铁氮化进行了化学热力学计算,并分析了产物的物相组成及显微结构。结果表明,氮化产物有α-Si3N4、β-Si3N4,呈纤维状、柱状;维持一定低氧分压对氮化过程有利;产物中存在大量细分散的硅铁金属间化合物,硅铁不能完全氮化,过多Fe阻碍Si的氮化,Fe以Fe3Si形式存在。
朱晓燕李勇王佳平薄钧张建芳
关键词:化学热力学显微结构
梭式氮化窑用Si_3N_4-SiC匣钵砖用后分析被引量:1
2010年
利用XRD、SEM和EDAX对在梭式氮化窑中使用1年后的反应烧结Si3N4-SiC匣钵砖内外侧进行了分析。结果表明:在匣钵外侧(氧化气氛),匣钵砖表面12 mm厚的区域呈完全氧化状态,主要氧化产物是SiO2;紧随其后的12~20 mm区域呈部分氧化状态,氧化产物主要为Si2N2O及少量SiO2;20 mm以后区域无明显氧化特征。在匣钵内侧(氮气气氛),匣钵砖表面出现了约0.2 mm厚的氧化层,主要氧化产物是SiO2,该SiO2可能是由气态SiO氧化形成的,而气态SiO主要来自SiC的氧化及氮化过程中形成的气态SiO;从显微结构可以看出,SiC颗粒表面氧化明显。
李勇王佳平朱晓燕薄钧张建芳
关键词:氮化梭式窑SI3N4-SIC材料
反应烧结氮化硅-碳化硅复合材料的氮化机理被引量:21
2011年
为分析反应烧结氮化硅结合碳化硅(Si3N4-SiC)材料中微观结构和氮化硅分布不均匀的原因,对在隔焰燃气氮化梭式窑中应用反应烧结氮化方法制备的氮化硅结合碳化硅复合材料进行结构研究和热力学分析。结果表明:材料中的氮化硅以纤维状和柱状两种形状存在。Si的氮化机理为:Si首先被氧化成气态SiO,降低了体系的氧分压,当氧分压足够低时,Si与N2直接反应形成柱状Si3N4,气态SiO亦可与N2反应生成氮化硅,这是一个气-气反应,故生成的Si3N4为纤维状。氮化反应前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因而生成的氮化硅分布不均匀,导致了反应烧结Si3N4-SiC材料结构的不均匀。
李勇朱晓燕王佳平陈俊红薛文东孙加林
关键词:氮化硅碳化硅直接氮化
共1页<1>
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