杜林
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：2
- 2015年
- 针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：终端结构场限环
- 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真被引量：2
- 2016年
- 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：击穿电压导通电阻阈值电压
- 分布式软件调试中调试信息界面展示技术被引量：1
- 2010年
- 在分布式并行调试器的设计中,友好的人机界面起着十分重要的作用,界面设计是一个综合研究的过程。针对分布式程序的需求特点,以展示布局合理、信息可视化的人机界面为目的,进行分布式软件调试中调试信息界面展示技术的研究。介绍了界面与代理节点的交互方式,并通过相应的数据处理算法,将调试信息以及进程间通信关系在界面上进行可视化展示。
- 王辛李青山崔西宁叶宏杜林
- 关键词：分布式调试信息可视化
- 深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响被引量：2
- 2015年
- 硅基集成波导滤波器通孔的显微结构和阵列精度对硅基集成波导滤波器的电磁性能和可靠性至关重要.采用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀以及感应耦合等离子体刻蚀3种方法在晶向为[100]的高阻硅单晶衬底上加工了通孔阵列,并采用线宽测量仪和扫描电镜对通孔尺寸、阵列精度以及通孔侧壁的显微结构进行了表征,对比研究了不同深刻蚀方法对硅基集成波导滤波器通孔侧壁显微结构的影响.结果表明,采用感应耦合等离子体刻蚀方法得到的硅基集成波导滤波器通孔阵列的显微结构最佳,精度最高,且通孔侧壁的粗糙度最低.由此可见,在目前工艺设备和技术水平的情况下,感应耦合等离子体刻蚀是最适合加工高性能、高精度和高可靠性硅基集成波导滤波器通孔阵列的方法.
- 杜林蒲石史永贵张进城郝跃
- 关键词：通孔深刻蚀显微结构
- 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真
- 分析了P沟道VDMOS器件的元胞结构参数与设计指标之间关系.采用Silvaco的Atlas模块对该器件的元胞结构参数和电学性能进行模拟和优化,并根据实际情况确定了器件元胞的最佳结构参数.基于这些的仿真结果,利用Silva...
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件自对准工艺击穿电压导通电阻
- 分布式调试中基于事件模型的确定性重演策略被引量：1
- 2010年
- 分布式系统中,进程并发执行的不确定性导致了程序错误的不可再现性,后续的执行无法再现前次执行的错误,这使得反复执行程序以重现故障的循环调试方法不再可用.基于事件模型的记录重演机制,提出了一种确定性的重演策略.该策略使得程序的执行轨迹确定化,重现了程序初始运行的错误状态,并结合传统的循环调试策略,通过设立断点或单步调试等方法最终定位错误.
- 李青山李珺叶宏杜林
- 关键词：分布式调试不确定性
- 集成波导孔阵列的激光深刻蚀
- 用MEMS工艺制造集成波导过程中,通孔的制备工艺至关重要.激光刻蚀作为常用的制备通孔的重要技术,属于各向异性干法刻蚀,具有刻蚀快速、易获得高深宽比孔槽的特点.本文采用红外和紫外两种激光来刻蚀体硅,采用扫描电镜观察刻蚀效果...
- 杜林蒲石郝跃
- 关键词：半导体器件集成波导
