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王萌萌

作品数:5 被引量:26H指数:3
供职机构:天津师范大学物理与材料科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇脉冲偏压
  • 2篇多弧离子镀
  • 2篇占空比
  • 2篇离子镀
  • 2篇力学性能
  • 2篇TI
  • 2篇力学性
  • 1篇多层膜
  • 1篇显微硬度
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇和光
  • 1篇TIALN
  • 1篇TIALN薄...
  • 1篇TICN
  • 1篇ZNO薄膜结...
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 5篇天津师范大学

作者

  • 5篇黄美东
  • 5篇王萌萌
  • 3篇王宇
  • 2篇陈泽昊
  • 1篇刘野
  • 1篇高倩
  • 1篇王小龙
  • 1篇程芳
  • 1篇张臣
  • 1篇潘玉鹏
  • 1篇张建鹏
  • 1篇范喜迎

传媒

  • 2篇天津师范大学...
  • 1篇表面技术
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇真空

年份

  • 4篇2015
  • 1篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
脉冲偏压占空比对复合离子镀TiCN涂层结构和性能的影响被引量:10
2014年
采用多弧离子镀和磁控溅射复合离子镀技术在高速钢基底上制备TiCN涂层,通过改变脉冲偏压占空比的大小获得了不同的涂层试样,利用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、维氏硬度计等对涂层进行表征,研究占空比对TiCN涂层组织结构和力学性能的影响。结果表明:随着脉冲偏压占空比的增加,TiCN涂层的表面大颗粒逐渐减少,表面形貌得到改善。涂层结构中,(111)晶面的择优取向趋势明显,沉积速率和显微硬度均出现先增大后减小的趋势,且在占空比为40%时均达最大值。TiCN涂层的最高硬度为3 800HV0.025,约为基底硬度的4倍。
程芳黄美东王萌萌范喜迎李云珂刘野
关键词:显微硬度
脉冲偏压对复合离子镀(Ti,Cu)N薄膜结构与性能的影响被引量:2
2015年
目的 (Ti,Cu)N薄膜是一种新型的硬质涂层材料,关于其结构和性能的研究报道还较少。研究脉冲偏压对(Ti,Cu)N薄膜结构与性能的影响规律,以丰富该研究领域的成果。方法将多弧离子镀和磁控溅射离子镀相结合构成复合离子镀技术,采用该技术在不同脉冲偏压下于高速钢基体表面制备(Ti,Cu)N薄膜。分析薄膜的微观结构,测定沉积速率及薄膜显微硬度,通过摩擦磨损实验测定薄膜的摩擦系数。结果在不同偏压下获得的(Ti,Cu)N薄膜均呈晶态,具有(200)晶面择优取向,当脉冲偏压为-300 V时,薄膜的择优程度最明显。随着脉冲偏压的增加,薄膜表面大颗粒数量减少且尺寸变小,表面质量提高;沉积速率呈现先增大、后减小的趋势,在脉冲偏压为-400 V时最大,达到25.04 nm/min;薄膜硬度也呈现先增大、后减小的趋势,在脉冲偏压为-300 V时达到最大值1571.4HV。结论脉冲偏压对复合离子镀(Ti,Cu)N薄膜的表面形貌、择优取向、沉积速率和硬度均有影响。
张臣黄美东陈泽昊王萌萌王宇
关键词:脉冲偏压表面形貌力学性能
多弧离子镀沉积TiAlN/TiN多层膜的结构与性能被引量:9
2015年
为研究调制周期对薄膜结构和性能的影响,采用多弧离子镀技术在高速钢上制备TiAlN/TiN多层膜,通过改变调制周期制备了不同层数的TiAlN/TiN多层膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、XP-2台阶仪、X线衍射仪(XRD)和维氏硬度计对薄膜的表面形貌、厚度、物相结构和硬度进行测量,并对实验结果进行分析和讨论.结果表明:TiAlN/TiN多层薄膜中膜层的择优生长方向主要表现为Ti Al N相的(0010)取向;调制周期的改变对薄膜的沉积速率基本没有影响;随着调制周期的减小,样品的表面质量提高,显微硬度明显变大.
黄美东李云珂王萌萌王宇陈广宵
关键词:多弧离子镀力学性能
脉冲偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜的成分和结构的影响研究被引量:7
2015年
采用多弧离子镀在高速钢基底上沉积Ti Al N薄膜。利用扫描电镜(SEM)观测薄膜的表面形貌;用EDS分析薄膜表面的成分;用表面轮廓仪测试薄膜的厚度并结合沉积时间计算出沉积速率;用维氏硬度仪测量薄膜的硬度;用XRD表征薄膜的微观结构。结果表明,随着偏压峰值的增大,表面大颗粒逐渐减少,致密性逐渐变好,薄膜硬度也随之增加。沉积参数对薄膜成分有影响,偏压峰值对薄膜中Al含量有较明显的影响,而占空比则主要影响Ti含量。本文对实验结果进行了较详细的讨论和分析。
王萌萌黄美东潘玉鹏李云珂
关键词:多弧离子镀TIAL脉冲偏压占空比
氧氩比对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响
2015年
为优化Zn O∶Ti复合薄膜制备工艺,采用射频磁控溅射法在不同氧氩比条件下沉积Zn O∶Ti复合薄膜,得到的样品经由EDS能谱仪检测Ti掺杂质量分数为3%.分别利用台阶仪、扫描电子显微镜、X线衍射仪、分光光度计和霍尔效应仪对样品的沉积速率、微观结构和光电性能进行表征.结果表明:随着氧氩比逐渐增大,薄膜的沉积速率呈现先增加后减小的变化.所有Zn O∶Ti薄膜均为六角纤锌矿结构,具有(002)晶面择优取向;当氧氩比为1∶1时,薄膜样品的表面形貌和结构优于其他样品.经过在空气中500℃的退火处理,薄膜样品的结晶质量明显提高.所有Zn O∶Ti薄膜在可见光区透过率均大于90%.随着氧氩比的增加,薄膜样品的电阻率先减小后增加,当氧氩比为1∶1时,电阻率最小,为6.5×10-4Ω·cm,薄膜的综合性能达到最优.
高倩黄美东王小龙张建鹏王萌萌陈泽昊王宇
关键词:磁控溅射光电性能
共1页<1>
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