刘波
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Al在生长InGaN材料中的表面活化效应
- 2008年
- 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。
- 袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏
- 关键词：氮化镓铟镓氮
- AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展被引量：1
- 2011年
- 由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN材料的基本性质,分析了AlInN/GaNHEMT的材料生长和器件结构设计,最后总结了其在高频、大功率方面的最新进展。
- 谢生冯志红刘波毛陆虹张世林
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓
- 偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响
- 2015年
- 采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此,只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程,在无外界激励时,经过10d左右的静置,器件基本恢复初始性能。
- 王浩谢生冯志红刘波毛陆虹
- 关键词：高电子迁移率晶体管电流崩塌氮化镓
