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朱伟

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇随机存储器
  • 2篇总剂量
  • 2篇RRAM
  • 2篇变式
  • 2篇存储器
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇XSI

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇简文翔
  • 2篇林殷茵
  • 2篇薛晓勇
  • 2篇朱伟

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能
2013年
研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.
朱伟简文翔薛晓勇林殷茵
关键词：总剂量辐照
基于CuxSiyO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能
了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高...
朱伟简文翔薛晓勇林殷茵
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