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郑智

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:理学机械工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇双光栅
  • 1篇相干
  • 1篇相干光
  • 1篇相干光学
  • 1篇离子辐照
  • 1篇光学
  • 1篇光栅
  • 1篇傅里叶
  • 1篇傅里叶变换
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇表面形貌

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇郑智
  • 1篇林伟华
  • 1篇郭立平
  • 1篇朱岱巍
  • 1篇张伟平
  • 1篇姚金
  • 1篇沈震宇
  • 1篇刘月

传媒

  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
两个不同光栅的Lau效应被引量:1
2014年
对两个不同光栅形成的Lau条纹分布进行了理论分析与实验研究。一般用于推导Lau条纹强度分布函数的方法比较复杂,其中基于交叉谱密度函数推导Lau条纹强度分布函数的方法相对简单。对该方法推导两个全同光栅Lau条纹强度分布函数的过程进行了仔细研究,并寻求将该方法进一步推广应用于两个不同光栅。探讨了该方法在光栅常数相同但占空比不同的两光栅情况下的适用性,并获得了光栅位置前后互换两种情况下简化的Lau条纹强度分布函数,理论计算得到了实验结果的验证。因此,基于交叉谱密度函数的部分相干光理论可用于推导光栅常数相同、占空比不同的两个光栅的Lau条纹分布函数。
郑智姚金朱岱巍林伟华
关键词:相干光学双光栅傅里叶变换
氢氦离子辐照对4H-SiC表面形貌的影响
2017年
以4H-SiC为研究对象,在800℃下,用24keV的H^+和30keV的He^+分别进行H^+单束、He^+单束、先H^+后He^+双束和先He^+后H^+双束辐照,并利用原子力显微镜(AFM)研究辐照对4H-SiC表面形貌的影响.实验表明:H^+辐照的样品表面出现直径平均约为8μm的大凸起,He^+辐照的样品表面则产生了均匀的纳米尺寸的小凸起;H^+辐照在材料表面产生的大凸起在辐照He^+后消失;而He^+预辐照之后再进行H^+辐照,材料表面不会产生大的凸起,并结合X射线衍射(XRD)数据对这种氢氦协同效应进行了解释.结论表明,He^+预辐照对凸起的形成有抑制作用,He^+后辐照则对已产生的凸起有抛光作用.
刘月郑智张伟平郑中成沈震宇郭立平
关键词:4H-SIC离子辐照
共1页<1>
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