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郭小刚

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：铜川职业技术学院更多>>
发文基金：陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇态密度
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇子结构
  • 1篇磷掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇铜川职业技术...

作者

  • 1篇安博
  • 1篇郭小刚
  • 1篇王蓉

传媒

  • 1篇河南科学

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
磷掺杂半导体单壁碳纳米管电子结构的第一性原理研究被引量：2
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了掺磷(P)单壁碳纳米管(SWCNT)的电子结构性质.结果表明,引入掺杂原子可显著改变SWCNT费米能级附近的能带结构,掺杂SWCNT的电子态密度(DOS)向低能端移动,其最高分子占据轨道(HOMO)与最低分子非占据轨道(LUMO)间的能隙减小,掺杂的磷原子比碳原子多出的电子更容易从价带向导带跃迁.
郭小刚王蓉安博
关键词：单壁碳纳米管第一性原理态密度
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