陈献文
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信冶金工程更多>>
- Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究被引量：2
- 2010年
- 以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。
- 何安和何苗朱学绘陈献文范广涵章勇
- 关键词：发光二极管(LED)ICP刻蚀出光效率
- 双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性被引量：3
- 2011年
- 为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.
- 陈献文吴乾李述体郑树文何苗范广涵章勇
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱双波长发光二极管金属有机化学气相沉积
- SiO_2-YAG:Ce^(3+)玻璃荧光体的制备及其白光LED的封装被引量：6
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶工艺,以正硅酸乙酯(TEOS)和乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)为硅源,以VTES中的乙烯基(CHCH2)为有机改性剂,反应过程中掺入YAG:Ce3+荧光粉,制备出有机改性的SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体.用X射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱和傅里叶红外光谱等测试手段对这种玻璃荧光体进行表征.结果表明:玻璃荧光体主相为Y3Al5O12,该荧光体可以很好地被460nm蓝光激发,发射出550nm的黄光.该玻璃荧光体封装蓝光芯片所得的白光LED器件具有良好的显色性、光通量、流明效率和光强分布.研究结果表明,SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体是一种潜在的白光LED封装用荧光材料.
- 朱学绘范广涵何安和陈献文何苗章勇
- 关键词：溶胶-凝胶白光LED荧光体封装
