陈莎
- 作品数:3 被引量:3H指数:1
- 供职机构:曲阜师范大学物理工程学院更多>>
- 发文基金:山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信更多>>
- Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率被引量:1
- 2017年
- 基于费米黄金法则,理论计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中第一激发态到基态的电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组分的变化规律。结果表明:电子-LO声子的散射率随总初态能的增大逐渐减小;散射率和平均散射率随阱宽增大先增加后减小,最大值出现在20 nm阱宽附近,当阱宽大于等于20 nm时散射会发生"中断";散射率和平均散射率随温度的增加逐渐增大,温度较低时平均散射率的变化不明显,温度较高时变化显著;量子阱中电子-LO声子的平均散射率随Mn组分的增大逐渐减小。
- 陈莎王海龙陈丽李正龚谦
- 关键词:光电子学声子
- InGaAsP/InP量子阱中电子-电子散射率研究
- 2016年
- 在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金法则计算出In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中电子-电子的散射率随电子初态能的增大而降低,电子-电子的平均散射率随As组分和子带能级差的增大而降低,随Ga组分、阱宽和载流子浓度的增大而升高。当电子温度较低时,散射率和平均散射率随电子温度的降低而降低,当电子温度较高时,散射率和平均散射率会随着电子温度的升高而缓慢降低。
- 李正王海龙陈莎陈丽
- 外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响被引量:2
- 2017年
- 在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。
- 陈丽王海龙陈莎李正李士玲龚谦
- 关键词:光电子学激子结合能变分法电场