您的位置： 专家智库 > >

冯秀娟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇烧蚀
  • 1篇纳米SI晶粒
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇均匀性
  • 1篇激光
  • 1篇激光烧蚀
  • 1篇SI
  • 1篇尺寸

机构

  • 1篇保定师范专科...
  • 1篇河北大学

作者

  • 1篇王英龙
  • 1篇金成
  • 1篇冯秀娟
  • 1篇王文军

传媒

  • 1篇华北电力大学...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸均匀性与靶衬间距的关系
2006年
为了对纳米Si薄膜中晶粒尺寸的分布进行定量研究,首次提出“晶粒尺寸均匀度”的概念,并对Lowndes等人采用脉冲激光烧蚀方法制备纳米Si薄膜的实验结果进行了定量分析。结果表明,随着靶衬间距的增大,晶粒尺寸均匀度先减小后增大,也就是说,存在靶衬间距的最佳值,使所制备的纳米Si晶粒的尺寸均匀性最好。MonteCarlo模拟结果对这一结论进行了解释。
金成王文军冯秀娟王英龙
关键词：纳米SI晶粒
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0