吕晓敏
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用SiCl_4/Ar/H_2气体ICP干法刻蚀GaAs材料
- 2013年
- 利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1mL.min-1,样品室压力为0.400Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486nm.min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20nm.
- 吕晓敏邱伟彬王加贤
- 关键词：GAAS干法刻蚀电感耦合等离子体
