张忠惠
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：北京市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜
- 2007年
- 给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。利用形貌仪测量样品的曲率半径,计算相应的应力。研究表明,当反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比为32∶12∶8(N2标定)时,可以得到张应力值为76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其折射率为1.688,Si,N和O三种元素的成分比为56.3∶23.7∶20.0。将此薄膜生长工艺应用于开关制备,得到了适用于DC^10 GHz频段的MEMS接触式开关,其驱动电压为23.3 V。
- 胡光伟刘泽文张忠惠侯智昊李志坚
- 关键词：氮氧化硅低应力PECVDMEMS开关接触式开关
