戴春俊
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ge取代P型高锰硅合金的晶粒细化及其热电性能被引量：4
- 2012年
- 采取悬浮熔炼法制备Ge取代的高锰硅试样Mn(Si1-xGex1).733(x取0.004,0.006,0.008,0.010,0.012),采用甩带法得到快凝高锰硅合金粉末,XRD分析表明快速凝固能够减少MnSi金属相的含量,Ge对Si位的取代产生晶格畸变,使得衍射峰向低角区偏移;将悬浮熔炼和快速凝固所得试样进行放电等离子烧结,测试并比较其热电性能。结果显示,快速凝固有效地降低了材料的热导率,Ge取代则使得有效载流子浓度增加,提高了电导率,从而提高材料的热电性能。实验范围内,当Ge取代量x=0.010时,ZT值最高,悬浮熔炼试样在850K时ZT值为0.53,快速凝固试样在750K时ZT值达到0.55。
- 樊东晓姜广宇戴春俊谢涵卉朱铁军赵新兵
- 关键词：快速凝固放电等离子烧结热电性能
