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李伟

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学性能
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇晶体管
  • 1篇SNO
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇西安交通大学
  • 1篇陕西铁路工程...

作者

  • 1篇毛红梅
  • 1篇拜颖乾
  • 1篇李伟
  • 1篇郭军

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SnO_2纳米线基场效应晶体管的电学性能研究被引量：1
2016年
基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术,成功制备了2%(质量分数)Sb掺杂SnO_2纳米线,所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响;将该纳米线作为场效应晶体管的沟道,分析了不同比例的Sb掺杂对晶体管电学性能参数的影响。结果显示:Sb质量分数由0.5%增加到2.5%时,随着Sb掺杂量的增大,晶体管的稳定性增强,但栅电压的调控能力减弱,晶体管功耗增大且对空穴和电子的迁移能力减弱。
拜颖乾毛红梅郭军李伟
关键词：晶体管电学性能
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