纪乐
- 作品数：11 被引量：26H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十四研究所更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信化学工程更多>>
- 3D模块金丝键合在线检测技术研究被引量：3
- 2010年
- 对金丝键合后键合质量的在线自动快速光学检测的原理、建模和检测成功率进行了概述,同时通过具体案例对金丝键合质量在线检测技术进行了研究。解决了键合质量的自动化在线检测的工程应用,对稳定3D微组装的键合质量起到积极的作用。
- 李孝轩许立讲纪乐严伟严仕新
- 关键词：键合多芯片模块在线检测
- 氮化铝表面分层电镀制备金锡共晶薄膜工艺被引量：1
- 2020年
- 采用分层电镀技术在氮化铝基板上制备了金锡共晶薄膜,主要工序为磁控溅射铜、电镀镍、电镀锡、电镀金和热处理。研究了电镀工艺和热处理的相关因素对金锡共晶膜层性能的影响,得到了可制得Au、Sn质量分数分别为(80±1)%和(20±1)%的金锡共晶合金膜的工艺参数。所得共晶膜可焊性良好,剪切强度优异。
- 牛通纪乐王从香夏海洋
- 关键词：电镀氮化铝可焊性剪切强度
- 片式微波组件激光软钎焊气密封装技术研究被引量：8
- 2018年
- 文中对片式微波组件激光软钎焊气密封装工艺开展研究,优化了影响焊缝成形的焊接结构、热台温度、助焊剂、离焦量、激光功率、焊接速度等工艺参数,分析了激光软钎焊密封接头微观组织,测试了激光软钎焊密封组件的气密性。结果表明:激光软钎焊封盖过程是一个温度场不断变化的动态过程,因此激光功率和焊接速度两参数也应在一定范围内通过程序设计动态调节。钎料可完全填充壳体与盖板之间形成的间隙,钎料中无空洞和裂纹,钎料未溢流到壳体内部。钎料与镀Ni层接触并润湿良好,在钎料与壳体和盖板界面未形成粗大脆性的金锡金属间化合物。接头上部钎料基本保持(Sn)+(Pb)共晶组织状态,接头下部镀Ni层与钎料之间形成薄且均匀连续的金属间化合物层Au Sn和Au Sn2。采用优化后的工艺参数激光软钎焊密封的组件气密性满足机载有源天线阵面应用要求。
- 夏海洋郝新锋吴磊崔凯纪乐
- 关键词：激光软钎焊硅铝合金接头组织
- 柱栅阵列封装器件组装通用要求
- 李福勇朱建军胡永芳纪乐周凤拯蒋庆磊王旭艳邓晓燕王燕清李赛鹏
- 多层共烧陶瓷 研磨抛光工艺技术要求
- 本标准规定了多层共烧陶瓷研磨抛光工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷研磨抛光工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于多层共烧陶瓷研磨抛光工艺。
- 主要 吕安国崔凯 谢迪谢廉忠周勤王从香孙兆军严伟胡永芳纪乐周建华
- 多层共烧陶瓷 薄膜金属化表层电镀工艺技术要求
- 本标准规定了多层共烧陶瓷薄膜金属化表层电镀工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷薄膜金属化表层电镀工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于多层共烧陶瓷基板表面的薄膜...
- 主要 牛通崔凯王从香 吴晶孙兆军严伟胡永芳纪乐周建华
- 基于LTCC厚薄膜混合基板的Ka波段T/R组件封装技术被引量：5
- 2017年
- 收发组件的集成封装技术是毫米波二维有源相控阵领域应用研究的重点和难点。文中采用基于低温共烧陶瓷厚薄膜混合基板制造工艺技术,同时结合先进的微组装工艺,实现了Ka波段八单元组件的高精度、高密度及气密封装;给出了收发组件的封装模型,通过仿真与实测对比着重分析了垂直互联、功率分配/合成网路及通道隔离的提升等关键技术,并测试了无源组件的微波性能。结果表明:该集成封装技术能够满足二维毫米波相控阵天线对T/R组件小型轻量化和高组装密度的技术要求。
- 崔鲁婧张兆华胡永芳纪乐
- 关键词：毫米波收发组件
- 多层共烧陶瓷 表层溅射工艺技术要求
- 本标准规定了多层共烧陶瓷表面溅射工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷表面溅射工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于多层共烧陶瓷表层溅射工艺。
- 主要 谢迪崔凯王从香孙兆军严伟胡永芳纪乐周建华
- 多层共烧陶瓷 表层光刻工艺技术要求
- 本标准规定了多层共烧陶瓷表层光刻工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷表层光刻工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于多层共烧陶瓷表层光刻工艺。
- 主要 李浩崔凯 张眯王从香孙兆军严伟胡永芳纪乐周建华
- 功率芯片高导热导电胶接技术研究被引量：4
- 2014年
- 金锡焊料(20Sn/80Au)具有较高的导热率,常用于功率器件的焊接。但金锡焊料的焊接温度高,在焊接过程中常会导致砷化镓(GaAs)功率芯片损坏,因此文中选用了一种新型的高导热导电胶代替金锡焊料,将功率芯片粘接在热沉上,并进行相关工艺研究。与金锡焊料相比,高导热导电胶具有相同的散热能力,但生产操作温度可由300℃下降至200℃。文中还研究了高导热导电胶固化参数与胶透率的关系,以及环境试验对芯片剪切力的影响。结果表明,高导热导电胶可以代替金锡焊料,满足功率芯片的散热和连接可靠性要求。
- 纪乐
- 关键词：功率芯片高导热胶接
