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郭会杰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇等离激元
  • 2篇入射
  • 2篇偏光
  • 2篇耦合器
  • 2篇可调
  • 2篇表面等离激元
  • 2篇波矢
  • 1篇导引
  • 1篇色散
  • 1篇色散曲线
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振态
  • 1篇本征
  • 1篇表面波
  • 1篇磁导
  • 1篇磁导率

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇何琼
  • 3篇孙树林
  • 3篇董少华
  • 3篇周磊
  • 3篇郭会杰

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
圆偏光入射下高效率且耦合方向可调的表面等离激元耦合器
本发明属于表面等离激元耦合器技术领域，具体为一种圆偏光入射下耦合方向可调的表面等离激元耦合器。本发明耦合器由两个相同结构和大小的本征区域拼接在激发区域的左右两边而组成；本发明利用PB几何相位原理构造出梯度超表面作为激发区...
段静文郭会杰董少华何琼周磊孙树林
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一种同时支持TE表面波和TM表面波的本征电磁特异介质超表面
本发明属于电磁特异介质超表面技术领域，具体为同时支持TE表面波和TM表面波的本征电磁特异介质超表面。本发明的超表面由特异介质单元经二维无限周期拓展而得到；所述特异介质单元是一种“空气/金属微结构/电介质/金属衬底” 三明...
段静文郭会杰董少华何琼周磊孙树林
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圆偏光入射下高效率且耦合方向可调的表面等离激元耦合器
本发明属于表面等离激元耦合器技术领域，具体为一种圆偏光入射下耦合方向可调的表面等离激元耦合器。本发明耦合器由两个相同结构和大小的本征区域拼接在激发区域的左右两边而组成；本发明利用PB几何相位原理构造出梯度超表面作为激发区...
段静文郭会杰董少华何琼周磊孙树林
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