唐晓东
- 作品数:24 被引量:71H指数:5
- 供职机构:华东师范大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域:自动化与计算机技术理学化学工程金属学及工艺更多>>
- 磁控溅射参数对NiO_x薄膜光学常数的影响(英文)
- 2009年
- 采用反应性磁控溅射法制备了NiOx薄膜,并结合椭圆偏振仪、XRD和XPS研究了溅射参量对其光学常量的影响.NiOx薄膜的光学常量随着O2/Ar流量比的增大而减小;热退火后,折射率增大而消光系数下降了50%;溅射功率越大折射率也越大,而工作气压越大折射率反而越小.这些变化分别与薄膜中存在间隙O和Ni空位、NiOx分解以及NiOx薄膜的致密度有关.
- 李小刚唐晓东
- 关键词:光学常数溅射参数
- 探针诱导光刻薄膜及其制备方法
- 一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜及其制备方法,该探针诱导光刻薄膜的结构由沉积于玻璃基底上的直写光刻材料层、介质层和表面等离子体共振层组成,所述的直写光刻材料层由AgO<Sub>x</Sub>或NiO...
- 李小刚洪小刚赵成强王阳徐文东唐晓东
- 文献传递
- 一种用于光存贮的酞菁薄膜被引量:5
- 1994年
- 本文研究了金属取代酞菁衍生物(MPc)真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数。以该酞菁薄膜作为记录介质的5.25″光盘的动态特性测试表明,载噪比(CNR)大于43dB。
- 顾冬红陈启婴舒菊坪唐晓东蒋模光干福熹
- 关键词:光存贮有机染料
- 可变入射角的激光会聚装置
- 一种可变入射角的激光会聚装置,特点在于其构成包括扩束镜、平面反射镜和会聚透镜,所述的平面反射镜固定在一个平移台上,所述的平面反射镜的反射面与所述的扩束镜的出射光束呈一定的角度,所述的平面反射镜在所述的平移台带动下沿激光入...
- 赵成强徐文东李小刚洪小刚唐晓东
- 文献传递
- 数值模拟探针诱导表面等离子体共振耦合纳米光刻被引量:11
- 2008年
- 采用有损耗介质和色散介质的二维时域有限差分方法,数值模拟了以光波长514.5 nm的p偏振基模高斯光束为入射光源,激发Kretschmann型表面等离子体共振,并通过探针的局域场增强效应实现纳米光刻的新方法——探针诱导表面等离子体共振耦合纳米光刻.分别就探针与记录层的间距以及探针针尖大小,模拟分析了不同情况下探针的局域场增强效应和记录层表面的相对电场强度振幅分布.结果表明,探针工作在接触模式时,探针的局域场增强效应最明显,记录层表面的相对电场强度振幅的对比度最大;当探针针尖距记录层5 nm时,针尖下方记录层表面的相对电场强度振幅大于光刻临界值的分布宽度与针尖尺寸相近.
- 洪小刚徐文东李小刚赵成强唐晓东
- 关键词:纳米光刻表面等离子体共振时域有限差分方法
- 探针诱导光刻薄膜
- 一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜,特征在于其结构由沉积于玻璃基底上的直写光刻材料层、介质层和表面等离子体共振层组成,所述的直写光刻材料层由AgO<Sub>x</Sub>或NiO<Sub>y</Sub...
- 李小刚洪小刚赵成强王阳徐文东唐晓东
- 文献传递
- 探针诱导表面等离子体共振光刻装置
- 一种探针诱导表面等离子体共振光刻装置,该装置由表面等离子体激发装置、探针控制装置、样品台、探针状态检测装置、光学显微镜和控制系统组成。该装置具有光刻所需激光功率低、光刻分辨率高、不易损坏探针、光刻膜层简单的特点,该装置还...
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- 文献传递
- 探针诱导表面等离子体共振纳米光刻系统被引量:7
- 2009年
- 提出了一种在原子力显微镜(AFM)基础上设计的探针诱导表面等离子体共振纳米光刻(PSPRN)系统。此系统不但实现了探针的精确控制,而且由于系统本身具有AFM的全部功能,因此可以实时检测样品表面的形貌以及光刻效果。系统采用改进的Kretschmann型共振耦合器件,在棱镜和样品基板之间注入匹配折射率油,使样品更方便更换;利用声光调制器与AFM配合实现了等离子体激发光照射时间的精确控制。通过初步实验,在银(Ag)膜表面获得了直径100 nm左右的光刻点,验证了PSPRN的可行性。研究了光照时间、激光功率、激光入射角、材料厚度等因素对光刻点大小、深度的影响,为实现更小的光刻点提供了参考。
- 赵成强徐文东洪小刚李小刚唐晓东
- 关键词:光刻表面等离子体共振原子力显微镜探针
- La_(0.7)Ca_(0.3-x)Sr_xMnO_3薄膜的电输运特性研究被引量:2
- 2016年
- 采用溶胶–凝胶法制备La_(0.7)Ca_(0.3-x)Sr_xMn O_3(LCSMO)薄膜,探讨掺杂对结构、磁性能与电输运特性的影响机制。从X射线衍射(XRD)结果来看,所有薄膜均具有典型钙钛矿结构。LCSMO薄膜的居里温度(T_C)和金属绝缘体转变温度(T_(MI))均随Sr掺杂浓度增加而单调增加。总体看来,当x≤0.05时,LCSMO薄膜磁阻率类似于窄带系LCMO系材料,在T_(MI)周围较宽的温度区间内存在相分离,而相分离过程中多相共存的无序状态是该类材料庞磁阻效应的主要来源。对特定温度下的磁阻率随磁场的变化进行分析,当温度低于T_(MI)时,磁阻率随磁场变化出现双梯度,低磁场时晶界隧穿效应起主导,该部分效应对磁场特别敏感,高磁场时磁阻率主要来源于磁场对自旋波动的压制;当温度接近或高于T_(MI)时,晶界隧穿效应逐渐消失,磁阻率随磁场线性变化,磁场对自旋波动的压制起主导作用。
- 张媛媛唐晓东陈莹王根水董显林
- 关键词:锰氧化物电输运特性
- 花菁化合物薄膜的光存储性能被引量:2
- 2000年
- 采用旋涂工艺制备了花菁染料薄膜 ,测试了薄膜吸收、透过和反射光谱 ,通过椭圆偏振光谱计算了薄膜的光学常数。以该花菁染料薄膜为记录层的可录光盘的动态性能和优化功率测试表明 ,光盘的最佳写入功率在 7m W左右 ,载噪比 (CNR)可达 4 7d B。利用原子力显微镜观测了以不同功率记录后可录光盘的预刻槽形貌。
- 唐晓东顾冬红干福熹