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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇化学工程

主题

  • 3篇树脂核
  • 3篇碳化硅
  • 3篇陶瓷
  • 3篇热震
  • 3篇热震性
  • 3篇先驱体
  • 3篇抗热震
  • 3篇抗热震性
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔陶瓷
  • 2篇氧化钇
  • 2篇平均孔径
  • 2篇孔径
  • 2篇高抗热震性
  • 1篇低热膨胀
  • 1篇低热膨胀系数
  • 1篇烧结温度
  • 1篇树脂
  • 1篇碳化硅陶瓷
  • 1篇热膨胀

机构

  • 7篇清华大学

作者

  • 7篇刘中国
  • 6篇张凯红
  • 6篇赵宏生
  • 5篇杨阳
  • 4篇李自强
  • 1篇刘小雪
  • 1篇杨晖

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇材料工程
  • 1篇Transa...

年份

  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
烧结温度对包混/复合添加工艺制备多孔SiC陶瓷性能的影响被引量:2
2011年
采用包混工艺合成了核壳结构的先驱体粉体,并引入一定量Al2O3、SiO2和Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;分析了样品的物相、表面形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数、抗弯强度和抗热震性能。结果表明,在较低的烧结温度下制得了多孔碳化硅陶瓷,在1650℃烧结的多孔碳化硅陶瓷综合性能较好。
杨阳赵宏生刘中国张凯红李自强
关键词:碳化硅多孔陶瓷烧结温度
Preparation and properties of porous silicon carbide ceramics through coat-mix and composite additives process被引量:2
2011年
The core-shell structure silicon-resin precursor powders were synthesized through coat-mix process and addition of Al2O3-SiO2-Y2O3 composite additives.A series of porous silicon carbide ceramics were produced after molding,carbonization and sintering.The phase,morphology,porosity,thermal conductivity,thermal expansion coefficient,and thermal shock resistance were analyzed.The results show that porous silicon carbide ceramics can be produced at low temperature.The grain size of porous silicon carbide ceramic is small,and the thermal conductivity is enhanced significantly.Composite additives also improve the thermal shock resistance of porous ceramics.The bending strength loss rate after 30 times of thermal shock test of the porous ceramics which were added Al2O3-SiO2-Y2O3 and sintered at 1 650 ℃ is only 6.5%.Moreover,the pore inside of the sample is smooth,and the pore size distribution is uniform.Composite additives make little effect on the thermal expansion coefficient of the porous silicon carbide ceramics.
赵宏生刘中国杨阳刘小雪张凯红李自强
一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法
本发明公开了属于多孔陶瓷技术领域的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法。其包括先驱体粉体制备、添加助剂、压力成型、炭化处理及烧结五个步骤,在原有包混工艺的老化步骤调节体系的pH值,制备硅粉表面包覆树脂的硅-树脂核壳结构先驱...
刘中国赵宏生杨晖李自强张凯红
文献传递
一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法
本发明属于公开了多孔碳化硅陶瓷制备技术领域的一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法。以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅和氧化钇按照质量比范围为100∶(0.5~10)∶(0.1~5)混合,混...
杨阳赵宏生刘中国张凯红
文献传递
成型温度对多孔SiC陶瓷性能的影响被引量:6
2011年
以包混工艺合成了核-壳结构的先驱体粉体,并引入少量Al2O3,SiO2和Y2O3作为复合添加剂,通过模压成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀系数、抗弯强度和热震性能的影响。结果表明:成型温度对多孔碳化硅陶瓷的孔隙率、密度、抗弯强度及热震性能均产生了显著影响,对热膨胀系数影响较小。在80℃成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳,过低的成型温度使包覆在核-壳结构先驱体粉体外层的钡酚醛树脂不能充分流动,使最终多孔碳化硅陶瓷样品结构松散、强度降低;而过高的成型温度使钡酚醛树脂过分流动,对添加剂粉体形成包覆再经过炭化后阻碍了添加粉体的充分接触,未能起到烧结助剂的作用。
杨阳赵宏生刘中国张凯红李自强
关键词:碳化硅多孔陶瓷成型温度
老化pH值对包混/复合添加制备多孔碳化硅陶瓷性能的影响
刘中国
关键词:交联度残碳率
一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法
本发明属于公开了多孔碳化硅陶瓷制备技术领域的一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法。以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅和氧化钇按照质量比范围为100∶(0.5~10)∶(0.1~5)混合,混...
杨阳赵宏生刘中国张凯红
共1页<1>
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